Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements und ein Halbleiterbauelement werden bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet das Bereitstellen eines Waferstapels (40), der einen Tragerwafer (20), der Graphit aufweist, und einen Bauelementwafer (1, 2) aufweist, der ein Halbleitermaterial mit breiter Bandlucke aufweist und eine erste Seite (21) und eine zweite Seite (22) gegenuber der ersten Seite (21) aufweist, wobei die zweite Seite (22) an dem Tragerwafer (20) befestigt ist, Definieren von Bauelementregionen (D) des Waferstapels (40), teilweises Entfernen des Tragerwafers (20), sodass Offnungen (25) in dem Tragerwafer (20) gebildet werden, die in jeweiligen Bauelementregionen (D) angeordnet sind, und sodass der Bauelementwafer (1, 2) von einem Rest (20') des Tragerwafers (20) gestutzt wird; und Weiterbearbeiten des Bauelementwafers (1, 2), wahrend der Bauelementwafer (1, 2) von dem Rest (20') des Tragerwafers (20) gestutzt bleibt.
分享
引用
