石墨浆做背接触层的CdTe薄膜太阳电池的导纳谱表征

何绪林,张静全,冯良桓,武莉莉,李卫,曾广根,雷智,黎兵,郑家贵

中国科学（技术科学）（2010）

被引用6|浏览18

摘要

本文测试了掺杂石墨浆作背接触层的CdTe薄膜太阳电池的导纳谱,计算得到电池中存在的影响电池性能的缺陷能级及其俘获截面.掺杂石墨浆作背接触层的CdTe薄膜太阳电池中存在三个缺陷能级,其位置E1-Ev分别约为0.34,0.46和0.51 eV,对应的俘获截面分别为2.23x10(-16),2.41x10(-14),4.38x10(-13)cm2.

更多