Синтез CVD И Структура Массивов Вертикально Ориентированных УНТ

Структура и морфология массивов вертикально ориентированных УНТ (ВОУНТ), выращенных методом CVD на подложках Fe—Al2O3/Si(001), исследованы с помощью сканирующей и высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии (ВРЭМ) и комбинационного рассеяния света (КРС). Найдено, что для воспроизводимого роста сплошных массивов ВОУНТ толщина напыленного слоя Fe должна составлять не менее 2 нм, при этом размер частиц катализатора, сформированного отжигом при 700 °C, варьируется в диапазоне 2—10 нм, а массив состоит преимущественно из одно- и двустенных УНТ диаметром 1—6 нм. Спектр КРС характеризуется наличием радиальной дышащей моды в интервале 95—232 см–1 и интенсивной G моды с расщеплением на пики 1594 см–1 и 1568 см–1 при возбуждении лазером с длиной волны λ = 785 нм. Обе моды и наличие дышащих мод в спектре КРС, согласно опубликованным данным, указывают на доминирующий полупроводниковый характер трубок в массиве. Измерение поверхностного сопротивления массива ВОУНТ дает значение 320±20 Ом/□.