高k棚介质中电荷俘获行为的脉冲特征分析Yuegang Zhao,Chadwin D Young,Rino Choi,Byoung Hun LeeElectronic Design & Application World for Design and Application Engineers（2010）被引用0|浏览1摘要本文介绍了电荷俘获的原理以及直流特征分析技术对俘获电荷进行定量分析的局限性,同时介绍了脉冲I-V分析技术,其能够对具有快速瞬态充电效应(FTCE)的高k栅晶体管的本征(无俘获)性能进行特征分析.更多上传PDF引用加入学术空间AI 理解论文数据免责声明页面数据均来自互联网公开来源、合作出版商和通过AI技术自动分析结果，我们不对页面数据的有效性、准确性、正确性、可靠性、完整性和及时性做出任何承诺和保证。若有疑问，可以通过电子邮件方式联系我们：report@aminer.cnChat Paper正在生成论文摘要
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