チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)裕行 高篠,健 岡垣,哲也 内田,元昭 谷沢,栄次 佃,克巳 永久,祥史 若原,清志 石川,修 土屋,靖朗 井上SIAM International Conference on Data Mining (SDM)（2007）CCF B被引用0|浏览14上传PDF引用加入学术空间AI Read Science数据免责声明页面数据均来自互联网公开来源、合作出版商和通过AI技术自动分析结果，我们不对页面数据的有效性、准确性、正确性、可靠性、完整性和及时性做出任何承诺和保证。若有疑问，可以通过电子邮件方式联系我们：report@aminer.cnChat Paper正在生成论文摘要
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