Предложен метод определения аппаратной функции при измерениях поверхностного потенциала в режиме Кельвин-зонд-микроскопии. Метод основан на применении в качестве тестовой структуры поверхности политипов SiC, содержащих области однослойного и двухслойного графена. Измерение профилей потенциала вдоль различных направлений на такой поверхности позволяет определить аппаратную функцию для зондовых измерений потенциала. Используя аппаратную функцию, можно выполнять процедуру деконволюции и восстанавливать точный потенциал поверхности. Ключевые слова: сканирующая зондовая микроскопия, Кельвин-зонд-микроскопия, потенциал поверхности, тестовые структуры, графен, карбид кремния.
原文链接
分享
引用
