Моделирование Электронных Свойств, Энтальпия Образования И Диэлектрические Характеристики Yb-легированного Монокристалла TlInS2

На геометрически оптимизированных суперъячейках T1InS2 и T1InS2 Yb с использованием теории функционала плотности (DFT) рассчитаны электронные свойства образцов. Рассчитана также энтальпия образования T1InS2. Установлено, что T1InS2 имеет слоистую моноклинную сингонию с пространственной группой C2/c–C2h6 . В образцах изучена частотная дисперсия тангенса угла ди­электрических потерь (tgδ), действительной (ε′) и мнимой (ε″) составляющих комплексной диэлектрической проницаемости и проводимости в переменных электрических полях (ac-проводимость – σac) поперек слоев в области частот f = 5 × 104–3.5 × 107 Гц. В диапазоне частот f = 5 × 104–2.4 ×107 Гц ac-проводимость монокристалла T1InS2 1 ат% Yb подчинялась закономерности σac ∼f 0.8, характерной для прыжковой проводимости носителей заряда по состояниям, лежащим в окрестности уровня Ферми. Оценены плотность и энергетический разброс состояний вблизи уровня Ферми, среднее время и расстояние прыжков, концентрация ловушек, ответственных за проводимость T1InS2 1 ат% Yb на переменном токе.