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    一种用于胃肠道图像分类的深度学习优化方法

    KR20190200096B1
    发明人
    邵一川, 张鹏程, 孙海静, 杨佳澎, 王建涛, 崔佳琪, 周雯, 于浩
    受让人
    UNIV SHENYANG (UNHE-C)
    申请人
    TDK株式会社
    申请号
    126430
    申请日
    2003-12-03
    公开(公告)号
    KR20190200096B1
    公开(公告)日
    1985-04-10
    IPC分类号
    A47J027/00A47J036/02
    CPC分类号
    -
    优先权号
    19938748
    优先权日
    1999-08-15
    摘要

    The system includes at least one antenna, a connection device, at least one sample switch, at least one sample capacitor and an amplifier. The sample switch is connected between at least one antenna and at least one sample capacitor. The connection device includes an electric connection between at least one sample capacitor and the amplifier. The at least one sample switch comprises a switching diode. Electric or optical control input is provided for the bringing into conduction, using an electric sample pulse of at least one switching diode for the sampling of an antenna signal.

    ADVANTAGE -Allows aerials to be spaced relatively wide apart while providing desired directivity using limited number of dipoles.

    权利要求
    1. A thin film transistor substrate comprising: a first thin film transistor and a second thin film transistor connected to an N th gate line and an M th data line; a first sub pixel electrode and a second sub pixel electrode connected to the first thin film transistor and the second thin film transistor, respectively; a third thin film transistor comprising a gate electrode connected to an (N+1) th gate line, a semiconductor layer overlapping with the gate electrode, a source electrode connected to the second sub pixel electrode and partially overlapping with the gate electrode, and a drain electrode facing the source electrode; a first auxiliary electrode connected to the drain electrode and arranged on the same layer as the first sub pixel electrode and the second sub pixel electrode; and a second auxiliary electrode arranged on the same layer as the gate line and at least partially overlapping with the first sub pixel electrode with at least one insulating layer disposed between the second auxiliary electrode and the first sub pixel electrode.
    2. The thin film transistor substrate of claim 1 , wherein the second auxiliary electrode is connected to the drain electrode.
    3. The thin film transistor substrate of claim 2 , further comprising an opposite electrode, wherein the first auxiliary electrode at least partially overlaps with the opposite electrode, which is arranged on the same layer as the gate line, with at least one insulating layer disposed between the first auxiliary electrode and the opposite electrode.
    4. The thin film transistor substrate of claim 1 , wherein the at least one insulating layer is a double layer, the double layer comprising an inorganic layer and an organic layer.
    5. The thin film transistor substrate of claim 1 , wherein the first thin film transistor, the second thin film transistor, and the third thin film transistor are such that the semiconductor layer overlaps with the source electrode and the drain electrode except for in channel regions.
    6. A liquid crystal display, comprising: a first substrate; a second substrate comprising a color filter and being arranged opposite to the first substrate; and a liquid crystal layer disposed between the first substrate and the second substrate, wherein the first substrate comprises: a first thin film transistor and a second thin film transistor connected to an N th gate line and an M th data line; a first sub pixel electrode and a second sub pixel electrode connected to the first thin film transistor and the second thin film transistor, respectively; a third thin film transistor comprising a gate electrode connected to an (N+1) th gate line, a semiconductor layer overlapping with the gate electrode, a source electrode connected to the second sub pixel electrode and partially overlapping with the gate electrode, and a drain electrode facing the source electrode; a first auxiliary electrode connected to the drain electrode and arranged on the same layer as the first sub pixel electrode and the second sub pixel electrode; and a second auxiliary electrode arranged on the same layer as the gate line and at least partially overlapping with the first sub pixel electrode with at least one insulating layer disposed between the second auxiliary electrode and the first sub pixel electrode.
    7. The liquid crystal display of claim 6 , wherein the second auxiliary electrode is connected to the drain electrode.
    8. The liquid crystal display of claim 7 , further comprising an opposite electrode, wherein the first auxiliary electrode at least partially overlaps with the opposite electrode, which is arranged on the same layer as the gate line, and at least one insulating layer is disposed between the first auxiliary electrode and the opposite electrode.
    说明书
    [0001]【技术领域】
    [0002][0001]본 발명은 에코, 친환경의 장비, 재료, 자재, 제조, 공사, 정화, 시설, 건물, 구조물 등에 관한 것이다.
    [0003]【背景技术】
    [0004][0002]일반적으로 건설, 건축, 토목, 공사, 시공, 건물, 시설물, 구조물, 이들의 축조, 조성, 이들을 위한 폼, 형틀, 거푸집, 유로폼 등에는 몰탈, 약액, 레미콘, 현탁액, 콘크리트 등의 타설재, 이의 타설을 위한 타설장비 등이 구비, 필요하거나, 이들을 이용한 타설공사, 타설공법 등이 수행되게 된다.
    [0005][0003]기존 타설재로는 일반의 몰탈, 약액, 레미콘, 현탁액, 콘크리트 등이 사용되고, 타설장비로는 타설재를 배합하는 배합기, 이를 타설하는 노즐, 호스, 파이프, 타설기, 분사기, 주입기 등이 사용되고 있다. 기존기술로는 국내등록특허 10-1429063인 덮개 거푸집 설치 기능의 콘크리트 이동타설장비 및 이를 이용한 구배존재 부분의 콘크리트 타설공법, 국내등록특허 10-1222407인 쇼크리트용 급결제의 공급 방법 및 장치 및 이 장치가 설치된 쇼크리트 타설기, 국내등록특허 10-0478729인 콘크리트 벽체 타설용 스틸폼, 국내등록실용신안 20-0257250인 벽체상승 슬래브하강 타설장비 등이 있다.
    [0006][0004]기존 타설의 경우는 타설시 타설성, 작업성, 분사성, 워커빌리티, 고층압송, 고층타설 등을 위하여 타설재의 유동성 향상 등이 필요하고, 타설장비의 경우는 타설재의 유동성 향상 기구, 고층타설 인력을 대체하는 다른 기구, 타설 과정에 타설재의 성질을 개선하는 기구 등이 필요하고, 그리고 이의 타설재, 타설장비 등을 이용한 새로운 타설공사, 타설공법 등의 고안이 필요하게 된다.
    [0007][0005]기존에는 시멘트, 약액 계열 등의 물질 또는 타설재 사용, 타설재의 유동성 향상을 위해 유동화제 투입, 고층타설 등을 위해 고층 크레인 사용, 사용장비 등에 상용전기 공급 등을 하고 있으며, 이들을 새로운 것으로 대체, 고안한다면 매우 유익할 것으로 판단된다.
    [0008][0007]상기의 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에서는 시멘트, 약액 계열 등의 타설재 성능 향상, 타설재의 유동성 향상, 고층타설 및 인력대체를 위한 장치 고안, 상용전기 대체 등을 해결하고자 하는 과제로 한다.
    [0009][0008]본 발명에서는 a) 상기의 시멘트, 약액 계열 등의 물질 또는 타설재 성능 향상을 위하여 Ca, Mg, Si, Fe, Al, K, Na, OH, COO 등 물질 고안, b) 이의 물질 함유 자재, 재료 개발, c) 타설재의 유동성 향상을 위하여 전자석, 초전도자석, 솔레노이드전자석, 콘망봉틀나선 구비 자석 또는 전자석, 콘나선 구비 솔레노이드전자석, 자석 또는 전자석 구비 콘나선, 자석 또는 전자석 구비 콘봉나선, 솔레노이드전자석 구비 콘망봉틀나선, 이중 하나 구비 중공체, 이들 구비 타설기 등 고안, d) 고층타설을 위하여 드론 적용, e) 인력대체를 위한 3D프린터 적용, f) 상용전기 대체를 위하여 태양발전기, 풍력발전기 적용 등을 과제의 해결 수단으로 한다.
    [0010][0009]본 발명에서는 Ca, Mg, Si, Fe, Al, K, Na, OH, COO 등의 물질을 고안하여 시멘트, 약액 계열 등의 타설재 기능, 성능, 효과 향상, 이에 의한 타설재 양생물, 고화물의 강도, 강성, 밀도, 결합력, 방수성, 차수성, 내구성 등 향상, b) 전자석, 초전도자석, 솔레노이드전자석, 콘망봉틀나선 구비 자석 또는 전자석, 콘나선 구비 솔레노이드전자석, 자석 또는 전자석 구비 콘나선, 자석 또는 전자석 구비 콘망봉틀나선, 솔레노이드전자석 구비 콘나선, 이중 하나 구비 중공체, 이들 구비 타설기 등의 자화 타설장비를 고안하여 타설재의 유동성 향상, c) 자석에 콘, 콘나선, 봉, 봉틀, 돌출봉 등의 구비에 의한 타설재의 교반성, 혼합성, 유동성, 채움성 향상, d) 3D프린터를 적용하여 무인공사, 무인타설, 자동화공사, 자동화타설, e) 드론을 적용하여 고층타설, 무인타설, 인력타설 대체, f) 태양발전기, 풍력발전기를 적용하여 상용전기 대체, 보완, 절감, 이에 의한 대체에너지사용, 저탄소녹색성장, 지구온난화방지 등의 효과를 제공한다.
    [0011][0010]특히 상기 자화 타설장비에 의하여 재료, 자재, 타설재 등의 a) 자화, 육각수화, 에너지화, 자력에너지화, b) 무동력 또는 영구적 자화, 육각수화, 에너지화, 자력에너지화, c) 유동화, 유동성, 슬럼프치, 작업성, 워커빌리티 등 향상, 이에 의한 유동화제, 이의 함유 혼화제 등 투입량 저감, 이에 의한 유동화제, 혼화제 등 사용 비용 절감, d) 혼합성, 교반성, 가압성, 공급성, 이동성, 타설성, 포설성, 주입성, 주사성, 분사성, 코팅성, 도장성, 다짐성, 믹싱성, 부착성, 유입성, 채움성, 형틀채움성, 공간채움성, 밀실채움 등 향상, e) 탈락성, 탈착성, 리바운드량 등 저감, f) 진동작업, 다짐작업, 바이브레이터작업, 바이브레이팅비용, 바이브레이팅장비, 바이브레이팅인력 등 저감 등이 되는 효과를 제공하고, 또한 자재, 시설, 시설물 등은 양생, 고결 등의 후에 a) 밀도, 비중, 강도, 강성, 점착력, 마찰각, 휨성, 전단성, 내구성, 방수성, 차수성, 지수성, 면처리, 표면매끈성 등 향상, b 압축성, 압밀성, 침하성, 균열성, 파손성, 투수계수 등 저감, c) 면, 표면, 노출면, 마감면, 콘크리트면, 형틀해체면 등 강화, 보강, 평탄, 매끈, 요철적음, 요철방지, 스크래치방지 등의 효과를 제공한다.
    [0012][0011]그리고 본 발명에서는 타설재가 외부 경사부를 월류하고 내부 경사부로 유입되면서 와류되는 콘, 타설재가 자신의 홀구멍을 미세 통과하면서 와류하는 망, 타설재가 부딪히면서 와류하는 봉, 타설재가 자신의 격자구멍을 크게 통과하면서 와류하는 틀, 타설재가 회오리치면서 와류하는 나선 등으로 구성된 콘망봉틀나선이 적용되어 타설재, 자화 타설재 등을 와류하여 추가 교반을 함으로 타설재의 품질을 더욱 균질되게 하고, 자화기능을 촉진, 향상, 상승 등을 하여 상기에 기재된 다양한 효과를 더욱 향상시키게 된다. 그리고 다공형 콘망봉틀나선 적용의 경우 타설재는 콘-망-봉-틀-나선의 5종에 의한 5회 와류에 더하여 각각의 유공홀에 의한 와류의 5회가 더하여져 총 10회의 와류 현상이 발생하게 되어 재질의 균질성, 교반성, 자화성 등이 더욱 향상되게 된다.
    [0013]【附图说明】
    [0014][0012]도 1은 본 발명에 의한 에코 자재 또는 타설재를 나타낸 모식도도 2는 본 발명에 의한 자석, 자기장, 콘, 와류를 나타낸 모식도도 3은 본 발명에 의한 전자석을 나타낸 모식도도 4는 본 발명에 의한 자석 구비 콘망봉틀나선을 나타낸 모식도도 5는 본 발명에 의한 자석 구비 콘망봉틀나선을 나타낸 모식도도 6은 본 발명에 의한 자석 구비 콘망봉틀나선을 나타낸 모식도도 7은 본 발명에 의한 중공체를 나타낸 모식도도 8은 본 발명에 의한 중공체를 나타낸 모식도도 9는 본 발명에 의한 중공체를 나타낸 모식도도 10은 본 발명에 의한 풍력콤프레셔를 나타낸 모식도도 11은 본 발명에 의한 3D프린터를 나타낸 모식도도 12는 본 발명에 의한 3D프린터를 나타낸 모식도도 13은 본 발명에 의한 장비 및 실내, 제조 타설을 나타낸 모식도도 14는 본 발명에 의한 장비 및 현장, 공사 타설을 나타낸 모식도도 15는 본 발명에 의한 장비 및 현장, 공사 타설을 나타낸 모식도도 16은 본 발명에 의한 장비 및 현장, 공사 타설을 나타낸 모식도
    [0015][0013]본 발명의 명칭은 에코, 황토, 바이오, 피톤치드 형의 장비, 재료, 자재, 제조, 공사, 정화, 시설, 건물, 구조물인데, 이는 에코, 황토, 바이오, 피톤치드 중 하나의 장비, 재료, 자재, 제조, 공사, 정화, 시설, 건물, 구조물 등이 해당된다.
    [0016][0014]본 발명에서 에코는 에코, 친환경, eco, ecology, eco friend, 경제적, economic, 친환경 에너지, eco energy 등을 의미하는 것으로, 본 발명은 상기 발명의 효과에 기재된 다양한 효과를 경제적이고 친환경적으로 이룰 수 있기 때문에 에코라는 용어를 사용하였다. 특히 본 발명의 자석은 에너지 공급없이 무동력으로 물질을 영구적으로 자화, 유동화시킬수 있다는 측면에서 에코라는 용어의 적용이 가능하게 된다.
    [0017][0015]본 발명의 요약은 a) 자석, 전자석, 자성체, 초전도자석, 솔레노이드전자석 등이 거치된 콘, 콘봉, 콘나선, 콘망봉틀, 봉틀나선, 콘망봉틀나선, 이가 매입된 중공체, 이가 구비된 타설기, 풍력콤프레셔, 드론, 태양발전기, 풍력발전기 등의 장비, b) 이를 거친 자화물, 또는 Ca, Mg, Si, Fe, Me, Al, K, Na, OH, COO, CaSi, CaFe 등 함유 재료, 몰탈, 밀크, 레미콘, 콘크리트, c) 상기 장비 내지 콘크리트 등 이용 자재, 벽돌, 블럭, 주자재, 부자재, 건자재, d) 상기 장비 내지 건자재 등 이용 방법, 공법, 제조, 공사, 타설공법, 시설, 건물, 구조물 등에 관한 것이다.
    [0018][0016]본 발명에서 타설은 물질, 재료, 타설재 등을 타설, 치기, 보냄, 이송, 처리, 주물, 붓기, 넣기, 배출, 분출, 뿜기, 분사, 발사, 주입, 유입, 매입, 주사, 코팅, 도장, 믹싱, 다짐, 또는 일정 위치로, 일정 위치에 상기 타설 내지 도장 등을 하는 것으로서, 이에는 타설, 타설하여 주입, 타설하여 주사, 분사, 숏팅, 코팅, 타설하여 도장, 포설, 포장, 타설하여 다짐, 타설하여 믹싱, 양생수를 타설하여 콘크리트 등의 양생, 타설재를 타설하여 콘크리트 등의 면처리 등도 해당된다.
    [0019][0017]또한 본 발명에서 타설은 a) 타설, b) 이의 하나인 형틀타설, 철근타설, 철골타설, 공장타설, 현장타설, 제조타설, 공사타설, 치기, 붓기, 넣기, 포설, 지면포설, 주입, 지중주입, 인젝션, 그라우팅, 투입, 보링공투입, 주사, 균열주사, 분사, 사면분사, 녹생토분사, 숏크리트분사, 시드스프레이, 코팅, 표면코팅, 도장, 포장, 도로포장, 다짐, 표면다짐, 지중다짐, 믹싱, 지중믹싱, c) 타설에 수반되는 저장, 투입, 혼합, 가압, 압송, 펌핑, 운송, 이송, 공급, 제공, 상기 치기 내지 지중믹싱 등이 해당 또는 포함되는 것으로 하였다. 본 발명에서 ∼ 등은 ∼ 등, ∼ 중 하나, ∼ 중 하나 이상 등이 해당된다. 이의 예로서 상기 타설 내지 지중믹싱 등은 상기 타설 내지 지중믹싱 등, 상기 타설 내지 지중믹싱 중 하나, 상기 타설 내지 지중믹싱 중 하나 이상 등이 해당된다.
    [0020][0018]본 발명의 장비는 청구항 1에 의하면, a) 콘망봉틀나선이 장착된 자석; b) 상기 자석이 거치된 다공체, 파동체, 중공체; c) 상기 자석 내지 중공체 중 하나가 내부 또는 출구에 장착된 노즐, 타설기, 분사기, 주입기; d) 상기 자석 내지 주입기 중 하나를 이동시키는 드론, 3D프린터; e) 상기 분사기를 자신에 탑재하여 이동하면서 자화물을 분사하는 드론; f) 상기 타설기를 자신의 플로터에 거치하여 타설기를 이동시키는 3D프린터; g) 상기 중공체가 구비되어 중공체로부터 분출되는 타설재를 타설하는 드론; h) 상기 중공체 구비 타설기가 자신의 플로터에 구비되어 타설기로부터 분사되는 타설재를 타설하는 3D프린터; i) 상기 중공체 내지 3D프린터 중 하나에 호스를 통하여 압기를 공급하는 풍력콤프레셔; j) 상기 자석 내지 3D프린터, 자석의 하나인 전자석의 코일, 드론의 날개를 회전시키는 모터 중 하나에 전선을 통하여 전기를 공급하는 태양발전기, 풍력발전기; 중 하나 이상이 구비되는 또는 하나 이상을 거친 자화, 와류, 자화와류 중 하나의 타설재가 타설되는 장비에 있어서, a) 상기 콘망봉틀나선은 콘, 콘망봉, 콘틀나선, 콘망봉틀, 콘봉틀나선, 콘망봉틀나선, 콘-망-봉-틀-나선의 조합; 콘과 이의 콘 내부에 위치한 콘 형상의 망과 상기 망의 내부에 거치된 봉과 상기 콘의 외부에 위치하면서 상기 망의 올구멍보다 자신의 올구멍이 큰 콘 형상의 틀과 상기 콘, 망, 틀 중 하나의 일측에 위치한 나선으로 구성된 구성체; 중 하나 이상이고, b) 상기 콘은 다공 구멍이 형성된 다공형이고, c) 상기 콘망봉 내지 조합에 포함되는 콘도 다공형이고, d) 상기 자석이 상기 콘의 중앙 통로에 관통되어 끼움되고, e) 상기 타설재에는 CaMg, SiFe, MgSi, FeAl, CaMgSiFe, MgSiFeAl, CaMgSiFeAl 중 둘 이상이 포함되는 CaMgSiFeAl가 함유된 것을 특징으로 한다.
    [0021][0019]본 발명의 장비는 청구항 2에 의하면, 콘망봉틀나선; 상기 콘망봉틀나선이 구비된 튜브, 호스, 파이프, 중공관, 중공체, 자화기, 육각수기; 중 하나가 이용 또는 포함되는 장비로서, 상기 콘망봉틀나선은 하기 1, 2, 3, 4 중 하나이고, 상기 1은 콘(11)과 이의 콘 내부에 위치한 콘 형상의 망(48)과 상기 망의 내부에 거치된 봉(45)과 상기 콘의 외부에 위치하면서 상기 망의 올구멍보다 자신의 올구멍이 큰 콘 형상의 틀(46)과 상기 콘, 망, 틀 중 하나의 일측에 위치한 나선(47)으로 구성된 콘망봉틀나선이고, 상기 2는 a) 거치대(12)가 구비되고, 상기 거치대에 순차적으로 콘(11), 망(48), 봉(45), 틀(46), 나선(47)이 구비되고, 상기 콘 내지 나선 중 하나 이상에 자성체가 구비되고, 상기 자성체에 자력이 상이한 2개의 복수자석이 구비되어 조성된 콘망봉틀나선이고, 상기 3은 상기 거치대에 순차적으로 나선(47), 틀(46), 봉(45), 망(48), 콘(11)이 구비되고, 상기 나선 내지 콘 중 하나 이상에 자석이 라이닝된 자성체가 구비되고, 상기 자성체에 파동체가 구비되어 조성된 콘망봉틀나선이고, 상기 4는 상기 콘은 다공 구멍이 형성된 다공형이고, 상기 망은 상기 틀(46)의 홀구멍 크기보다 작은 홀구멍을 가진 망(48)이고, 상기 봉은 경사진 또는 하기 자성체에 대하여 경사진 경사봉이고, 상기 틀은 다공 구멍이 형성된 콘형 틀이고, 상기 나선은 자신을 통과하는 물질을 와류, 폭기, 교반 중 하나를 하는 나선인 상기 콘망봉틀나선이다.
    [0022][0020]본 발명의 자재는 청구항 3에 의하면, A) a) 콘망봉틀나선이 장착된 튜브, 호스, 파이프, 중공관, 중공체, 자화기, 육각수기; b) 상기 콘망봉틀나선, 튜브 내지 육각수기 중 하나가 구비된 저장고(20), 호퍼(21), 혼합기(22), 펌프 또는 가압기(23), 운송기(24), 공급기 또는 공급로(25), 타설기(26), 분사기, 주입기, 주사기, 숏팅기, 코팅기, 도장기, 포설기, 포장기, 믹싱기, 다짐기, 양생기, 면처리기; c) 하기 수 내지 콘크리트 중 하나가 순차적으로 저장, 투입, 혼합, 가압, 운송, 공급, 타설, 분사, 주입, 주사, 숏팅, 코팅, 도장, 포설, 포장, 믹싱, 다짐, 양생, 면처리 중 하나가 되는 상기 저장고 내지 면처리기; d) 상기 저장고 내지 면처리기 중 둘 이상의 순서 또는 무순으로 구성된 장비, 제조 장비, 공사 장비, 정화 장비; e) 상기 콘망봉틀나선, 튜브 내지 육각수기, 저장고 내지 면처리기, 장비 중 하나 이상을 거친 수(水), 물, 액(液), 유(流), 약(藥), 기(氣), 고(固), 제(劑), 재(材), 졸, 겔, 물질, 몰탈, 밀크, 재료, 레미콘, 페이스트, 플라스터, 콘크리트; f) 상기 거치는 것에 더하여 Ca, Mg, Si, Fe, Me, Al, K, Na, CaMg, CaSi, CaFe, CaAl, MgSi, MgFe, MgAl, SiFe, SiAl, FeAl, CaMgSi, CaMgFe, CaMgAl, MgSiFe, MgSiAl, SiFeAl, CaMgSiFe, CaMgSiAl, MgSiFeAl, CaMgSiFeAl, KSiAl, NaSiAl, KNaSiAl 중 하나 이상이 함유된 상기 수 내지 콘크리트; g) 상기 거치는 것에 더하여 수지, 폐분, 광물, 황토, 화이버, 보강재, 나노재, 라텍스, 미생물, 부산물, 슬래그, 팽창제, 피톤치드, 제올라이트, 지오폴리머 중 하나 이상이 함유된 상기 수 내지 콘크리트; h) 상기 Ca 내지 KNaSiAl 중 하나 이상이 포함된 상기 수지 내지 지오폴리머 중 하나 이상이 함유된 상기 수 내지 콘크리트; 중 하나 이상이 이용 또는 포함되어 조성되거나, B) 또는 상기 콘망봉틀나선 내지 장비 중 하나 이상에 의하여 상기 수 내지 콘크리트 중 하나가 자화, 유동화, 저장, 투입, 혼합, 가압, 운송, 공급, 타설, 주입, 주사, 분사, 다짐, 믹싱, 양생, 면처리 중 하나 이상이 되어 조성된 자재로서, 상기 콘망봉틀나선은 상기 청구항 2 등에 기재된 바와 같고, 상기 자재는 a) 몰탈, 밀크, 약액, 현탁액, 슬러리, 배합물, 레미콘, 아스콘, 콘크리트, 페이스트, 플라스터, 보, 벽, 판, 관, 타일, 벽돌, 블럭, 매트, 보드, 거더, 슬라브, 암거, 박스, 탱크, 맨홀, 흄관, 수조, 기초, 기둥, 파일, 말뚝, 피어, 케이슨, 라이닝, 세그먼트, 내장재, 외장재, 건자재; b) 상기 몰탈 내지 플라스터 중 하나 함유 또는 양생의 상기 보 내지 건자재; c) 또는 건설, 건축, 토목, 조경, 조각, 조형, 환경, 공사, 시공, 개량, 보강, 보수, 보강, 포장, 인테리어, 리모델링, 시설, 건물, 구조물, 시설물 중 하나의 자재, 재료, 원료, 상기 몰탈 내지 내지 건자재; 중 하나인 것을 특징으로 한다.
    [0023][0021]본 발명의 시설은 청구항 4에 의하면, 상기 청구항 3에 기재된 A), 또는 B)에 의하여 조성된 시설로서, 상기 콘망봉틀나선은 상기와 같고, 상기 시설은 집, 댐, 기초, 파일, 지반, 사면, 주택, 건물, 도로, 보도, 포장, 제방, 교량, 터널, 옹벽, 항만, 시설, 구조물, 시설물, 공동주택, 조립주택, 케노피건물, 케노피주택, 이동주택, 컨테이너주택, 농장건물, 식물농장건물, 수처리시설물, 폐수처리시설물, 정화시설물 중 하나인 것을 특징으로 한다.
    [0024][0022]본 발명의 제조 방법은 청구항 5에 의하면, A) a) 콘망봉틀나선이 튜브, 호스, 파이프, 중공관, 중공체, 자화기, 육각수기 중 하나에 거치되고, b) 상기 콘망봉틀나선, 튜브 내지 육각수기 중 하나가 저장고(20), 호퍼(21), 혼합기(22), 펌프(23), 운송기(24), 공급로(25), 타설기(26), 주입기, 믹싱기, 다짐기, 양생기, 면처리기 중 하나 이상에 구비되고, c) 상기 저장고 내지 면처리기 중 둘 이상이 상기 열거순 또는 무순으로 구성된 장비가 구비되고, d) d1) 상기 저장고(20)에서 재료가 저장; d2) 상기 호퍼(21)에 의하여 혼합기(22)에 재료가 투입; d3) 상기 혼합기(22)에 의하여 재료가 혼합; d4) 상기 펌프(23)에 의하여 재료가 가압, 압송, 펌핑, 공급, 제공; d5) 상기 운송기(24)에 의하여 재료가 운송, 이송, 공급, 제공; d6) 상기 공급로(25)에 의하여 재료가 공급, 제공; 중 하나 이상이 되고, e) e1) 상기 타설기(26)에 의하여 재료가 타설, 인젝션, 그라우팅, 형틀에 타설, 공장에서 타설, 현장에서 타설, 기초 공사를 위하여 타설; e2) 상기 주입기에 의하여 의하여 재료가 주입, 지중주입; e3) 상기 다짐기에 의하여 의하여 재료가 다짐, 지중다짐; e4) 상기 믹싱기에 의하여 의하여 재료가 믹싱, 지중믹싱; e5) 상기 양생기에 의하여 상기 타설된 재료가 양생; e6) 상기 면처리기에 의하여 상기 양생 후 양생물이 면처리; 중 하나 이상이 되어 제조, 자재제조, 레미콘제조, 콘크리트제조, 벽돌제조, 블럭제조, 파일제조 중 하나가 되거나, B) 또는 a) 상기 콘망봉틀나선, 튜브 내지 육각수기, 저장고 내지 면처리기, 장비 중 하나 이상을 거친 물질 1; b) 상기 거치는 것에 더하여 물질 2가 함유된 물질 1; c) 상기 거치는 것에 더하여 물질 3이 함유된 물질 1; d) 상기 물질 2가 포함된 물질 3이 함유된 물질 1이 이용 또는 포함되어 제조, 자재제조, 레미콘제조, 콘크리트제조, 벽돌제조, 블럭제조, 파일제조 중 하나가 되거나, C) 또는 상기 콘망봉틀나선 내지 장비 중 하나 이상에 의하여 물질 1이 자화, 유동화, 저장, 투입, 혼합, 가압, 운송, 공급, 타설, 주입, 주사, 분사, 다짐, 믹싱, 양생, 면처리 중 하나 이상이 되어 제조, 자재제조, 레미콘제조, 콘크리트제조, 벽돌제조, 블럭제조, 파일제조 중 하나가 되는 것에 있어서, 상기 물질 1은
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