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    一种适用于DBS的头皮切口撑开器

    KR200014069E
    发明人
    杜婷婷, 陈颖川, 朱冠宇, 马若宇, 袁天朔, 安琪, 甘逸飞, 尹子霄, 刘钰晔, 白宇彤, 张建国, 孟凡刚, 杨岸超, 石林, 刘焕光, 张华, 韩春雷
    受让人
    北京市神经外科研究所
    申请人
    GEA Food Solutions Weert B.V.
    申请号
    011139
    申请日
    2012-12-03
    公开(公告)号
    KR200014069E
    公开(公告)日
    1995-06-27
    IPC分类号
    B21B037/00
    CPC分类号
    -
    优先权号
    188518
    优先权日
    2012-10-14
    摘要

    A method for rapidly heating an emission control device in an engine exhaust uses excess air added to the exhaust via an air introduction device. After an engine cold start, the engine is operated to raise exhaust manifold temperature to a first predetermined value by operating the engine with a lean air-fuel ratio and retarded ignition timing. Once the exhaust manifold reaches the predetermined temperature value, the engine is switched to operate rich and air is added via the air introduction device. The added air and rich exhaust gas burn in the exhaust, thereby generating heat and raising catalyst temperature even more rapidly. The rich operation and excess air are continued until either engine airflow increases beyond a pre-selected value, or the emission control device reaches a desired temperature value. After the emission control device reaches the desired temperature, the engine is operated substantially around stoichiometry. Further, a method is described for adaptively learning pump airflow using feedback from an exhaust gas oxygen sensor.

    权利要求
    1 . Method for producing a connection structure comprising a conductor via and a contact zone with a metal and semi-conductor compound in the extension of said conductor via, the connection structure extending between an upper semi-conductor layer receiving an active zone of at least one higher level transistor of a microelectronic device comprising several levels of semi-conductor layers arranged one above the other and at least one conducting zone located under the upper level, the method comprising: a) supplying a lower stage provided with at least one first electronic component arranged at least partially in a lower semi-conductor layer resting on a substrate, the electronic component being surmounted by at least one insulating layer and by said conducting zone, then, b) transferring onto the lower stage an upper semi-conductor layer, then c) producing at least partially said transistor of which the active zone extends in the upper semi-conductor layer and at least one metal region in contact with the active zone, d) carrying out at least one thermal annealing in such a way as to form from said metal region, said contact zone with a metal and semi-conductor compound base and in contact with said upper semi-conductor layer, said contact zone being located in the extension of a conductor via formed before and/or after the transferring, said conductor via extending under the upper semi-conductor layer and being arranged in contact with said conducting zone.
    2 . Method according to claim 1 , wherein the producing of the conductor via comprises, prior to the step b) of transferring: the formation through the insulating layer of a conducting element in contact with said conducting zone and said metal region in the extension of this conducting element, said metal region being flush on an upper face of the insulating layer, the transferring in the step b) being carried out in such a way that said metal region is put into contact with a lower face of the upper semi-conductor layer.
    3 . Method according to claim 2 , wherein the formation of the conducting element and of said metal region in its extension comprises steps of: forming the conducting element passing through the insulating layer, removing an upper portion of the conducting element, in such a way as to release a hole in the insulating layer, filling said hole with at least one metal material is such a way as to produce said metal region.
    4 . Method according to claim 1 , wherein the producing of the conductor via comprises, after the step b) of adding, steps of: forming of at least one opening passing through the upper semi-conductor layer, depositing of metal material in said opening in such a way as to form the metal region.
    5 . Method according to claim 4 , wherein the producing of the conductor via comprises, prior to the step b) of transferring: the formation through the insulating layer of a conducting element in contact with said conducting zone then with said metal region in the extension of this conducting element, and wherein the adding in the step b) is carried out in such a way that an insulating thickness is retained above an upper end of said conducting element, said opening passing through the upper semi-conductor layer being formed in such a way as to furthermore pass through said insulating thickness and to expose said upper end of said conducting element.
    6 . Method according to claim 5 , wherein at the step b) of transferring, the upper semi-conductor layer is coated with a first layer of dielectric material, and wherein said lower stage is coated with a second layer of dielectric material, the transferring being carried out by molecular bonding of the first layer of dielectric material on the second layer of dielectric material.
    7 . Method according to claim 4 , wherein the producing of the conductor via further comprises, after the production of said opening and the step d) of forming said contact zone with a metal and semi-conductor compound, the forming of a metal pad in said opening.
    8 . Method according to claim 4 , the producing of the conductor via comprises after the production of said opening, the production of a metal pad in this opening, said metal region being a region of said metal pad in contact with the upper semi-conductor layer.
    9 . Method according to claim 3 , wherein after the forming of said opening passing through the upper semi-conductor layer or of said hole in the insulating layer, a cleaning is carried out in said opening or in said hole prior to the depositing or the filling with metal material.
    10 . Method according to claim 1 , wherein prior to the step d), at least one metal zone is further formed on an upper face of the upper semi-conductor layer, the annealing carried out in the step d) being carried out in such a way as to form concomitantly with the forming of said contact zone with a metal and semi-conductor compound, a compound region of metal and semi-conductor in the extension of said metal zone.
    11 . Method according to claim 1 , wherein the source and drain regions of said transistor are doped in the step c), with the thermal annealing in the step d) being provided in such a way as to carry out an activation of doping agents of the source and drain regions.
    12 . Method according to claim 1 , wherein the thermal annealing carried out in the step d) is a laser annealing.
    13 . Method according to claim 1 , wherein said metal region is in contact with another active zone of another transistor, in such a way that said contact zone formed in the step d) with a metal and semi-conductor compound base is in contact with said other active zone.
    14 . Method according to claim 1 , wherein the semi-conductor layer is made of silicon and wherein the metal region has a cobalt and/or Ti and/or Ni base.
    15 . Method for producing a connection structure comprising a conductor via and a contact zone with a metal and semi-conductor compound in the extension of said conductor via, the connection structure extending between an upper semi-conductor layer receiving an active zone of at least one higher level transistor of a microelectronic device comprising several levels of semi-conductor layers arranged one above the other and at least one conducting zone located under the upper level, the method comprising: a) supplying a lower stage provided with at least one first electronic component arranged at least partially in a lower semi-conductor layer resting on a substrate, the electronic component being surmounted by at least one insulating layer and by said conducting zone, then, b) transferring onto the lower stage an upper monocrystalline semi-conductor layer, on an upper face of the at least one insulating layer, then c) producing at least partially said transistor of which the active zone extends in the upper semi-conductor layer and at least one metal region in contact with the active zone, d) carrying out at least one thermal annealing in such a way as to form from said metal region, said contact zone with a metal and semi-conductor compound base and in contact with said upper semi-conductor layer, said contact zone being located in the extension of a conductor via formed before the transferring, said conductor via extending under the upper semi-conductor layer and being arranged in contact with said conducting zone.
    16 . Method according to claim 15 , wherein the producing of the conductor via comprises: the formation through the insulating layer of a conducting element in contact with said conducting zone and said metal region in the extension of this conducting element, said metal region being flush on an upper face of the insulating layer, the transferring in the step b) being carried out in such a way that said metal region is put into contact with a lower face of the upper semi-conductor layer.
    17 . Method according to claim 16 , wherein the formation of the conducting element and of said metal region in its extension comprises steps of: forming the conducting element passing through the insulating layer, removing an upper portion of the conducting element, in such a way as to release a hole in the insulating layer, filling said hole with at least one metal material is such a way as to produce said metal region.
    18 . Method for producing a connection structure comprising a conductor via and a contact zone with a metal and semi-conductor compound in the extension of said conductor via, the connection structure extending between an upper semi-conductor layer receiving an active zone of at least one higher level transistor of a microelectronic device comprising several levels of semi-conductor layers arranged one above the other and at least one conducting zone located under the upper level, the method comprising: a) supplying a lower stage provided with at least one first electronic component arranged at least partially in a lower semi-conductor layer resting on a substrate, the electronic component being surmounted by at least one insulating layer and by said conducting zone, then, b) transferring onto the lower stage an upper monocrystalline semi-conductor layer on an upper face of the at least one insulating layer, then c) producing at least partially said transistor of which the active zone extends in the upper semi-conductor layer and at least one metal region in contact with the active zone, d) carrying out at least one thermal annealing in such a way as to form from said metal region, said contact zone with a metal and semi-conductor compound base and in contact with said upper semi-conductor layer, said contact zone being located in the extension of a conductor via formed after the transferring, said conductor via extending under the upper semi-conductor layer and being arranged in contact with said conducting zone.
    19 . Method according to claim 18 , wherein the producing of the conductor via comprises, steps of: forming of at least one opening passing through the upper semi-conductor layer, depositing of metal material in said opening in such a way as to form the metal region.
    20 . Method according to claim 19 , wherein the producing of the conductor via comprises, prior to the step b) of transferring: the formation through the insulating layer of a conducting element in contact with said conducting zone then with said metal region in the extension of this conducting element, and wherein the adding in the step b) is carried out in such a way that an insulating thickness is retained above an upper end of said conducting element, said opening passing through the upper semi-conductor layer being formed in such a way as to furthermore pass through said insulating thickness and to expose said upper end of said conducting element.
    说明书
    [0001]本開示は、車載機器に関する。
    [0002]車両の一例である鉄道車両に搭載される車載機器には、筐体の外部の空気を筐体の内部に流入させ、筐体に収容されている電子部品で生じた熱を空気に放熱することで、電子部品を冷却するものがある。この種の車載機器の一例が特許文献1に開示されている。車載機器の一例として特許文献1に開示されている車両用電力変換装置は、筐体の内部に設けられた風洞と、風洞に設けられた熱交換器と、風洞に筐体の外部の空気を供給するブロワと、を備える。
    [0003]特開2014-117121号公報
    [0004]特許文献1に開示されている電力変換装置において、筐体の外部の空気が高い場合は、風洞を流れる空気の温度も高くなるため、電子部品で生じた熱が十分に放熱されなくなる。換言すれば、電力変換装置の冷却性能が低下し、電子部品の温度が過度に上昇してしまうことが起こり得る。この課題は、電力変換装置に限られず、車載機器で起こり得る。
    [0005]本開示は上述の事情に鑑みてなされたものであり、高い冷却性能を有する車載機器を提供することを目的とする。
    [0006]上記目的を達成するために、本開示の車載機器は、筐体と、開度が制御可能な空気供給弁と、空気供給弁制御部と、を備える。筐体は、発熱する電子部品を収容し、車両に取り付けられる。筐体には、内部の空気を外部に流出させる空気排出孔が形成される。空気供給弁は、 圧縮空気が溜められている空気溜めに連通している 空気管および筐体の内部に連通する。 空気供給弁は、開かれた状態で空気管を介して空気溜めから供給される圧縮空気を筐体の内部に流出させる。 空気供給弁制御部は、 車両の走行位置および走行位置と空気供給弁の開閉状態の対応付けから、空気供給弁を開く状態であるか否かを判別し、空気供給弁を開く状態であれば 、空気管の内部の圧縮空気の温度、湿度、および圧力の少なくともいずれかに 基づいて空気供給弁を開く時間を決定し、決定した 時間だけ空気供給弁を開く。
    [0007]本開示により、筐体の外部の空気が高温であっても、電子部品の冷却が可能となり、高い冷却性能を有する車載機器が得られる。
    [0008]実施の形態1に係る空気供給システムから車載機器および機械ブレーキ装置までの空気の流路を示す図 実施の形態1に係る車載機器の断面図 実施の形態1に係る車載機器の図2におけるIII-III線での矢視断面図 実施の形態1に係る車載機器の断面図 実施の形態1に係る車載機器の電気的構成を示すブロック図 実施の形態1に係る車載機器のハードウェア構成を示すブロック図 実施の形態1に係る車載機器が行う弁制御の動作を示すフローチャート 実施の形態2に係る車載機器の断面図 実施の形態3に係る車載機器の断面図 実施の形態3に係る車載機器の図9におけるX-X線での矢視断面図 実施の形態3に係る車載機器の断面図 実施の形態3に係る車載機器が行う弁制御の動作を示すフローチャート 実施の形態4に係る車載機器の断面図 実施の形態4に係る車載機器の図13におけるXIV-XIV線での矢視断面図 実施の形態4に係る車載機器の電気的構成を示すブロック図 実施の形態4に係る車載機器が行う弁制御の動作を示すフローチャート 実施の形態5に係る車載機器の断面図 実施の形態5に係る車載機器の電気的構成を示すブロック図 実施の形態5に係る車載機器が行う弁制御の動作を示すフローチャート 実施の形態に係る車載機器の第1変形例の断面図 実施の形態に係る車載機器の第2変形例の断面図 実施の形態に係る車載機器の第3変形例の断面図 実施の形態に係る車載機器が行う弁制御の動作の変形例を示すフローチャート 実施の形態に係る車載機器の第4変形例の電気的構成を示すブロック図 実施の形態に係る車載機器のハードウェア構成の変形例を示すブロック図
    [0009]以下、本開示の実施の形態に係る車載機器について図面を参照して詳細に説明する。なお図中、同一または同等の部分には同一の符号を付す。
    [0010](実施の形態1) 車両、具体的には、鉄道車両に搭載される車載機器を例にして、車載機器1について説明する。実施の形態1では、図1に示す車載機器1は、鉄道車両が備える車体の床下に取り付けられる機器であって、空気供給システム71で圧縮されて空気溜め72に溜められている圧縮空気の供給を受ける。車載機器1の内部に収容される電子部品は、圧縮空気によって冷却される。
    [0011]空気供給システム71は、空気を取り込み、取り込んだ空気を圧縮し、圧縮空気を生成するコンプレッサ73を備える。例えば、コンプレッサ73は、取り込んだ空気を、圧力が700kPa(キロパスカル)以上、かつ、800kPa以下の範囲になるまで圧縮し、出力する。
    [0012]空気供給システム71はさらに、空気を冷却するアフタークーラー74と、空気に含まれる水分、塵埃等の異物を除去するフィルタ75と、空気を乾燥させるエアドライヤー76と、を備えることが好ましい。アフタークーラー74は、コンプレッサ73で圧縮されることで温度が上昇した空気を冷却し、出力する。フィルタ75は、アフタークーラー74で冷却された空気に含まれる異物を除去する。例えば、フィルタ75は、直径1mm(ミリメートル)以上の異物を除去する。エアドライヤー76は、フィルタ75で異物が除去された空気を乾燥させ、乾燥させた空気を空気溜め72に供給する。
    [0013]上述のように空気供給システム71によって生成される圧縮空気は、空気溜め72に溜められる。空気溜め72は、空気供給システム71から供給される圧縮空気を保持する元空気溜め77と、元空気溜め77に接続され、元空気溜め77から供給される圧縮空気を保持する供給空気溜め78と、を備える。
    [0014]空気供給システム71の各部は空気管79によって接続されている。同様に、空気供給システム71と空気溜め72とは空気管79によって接続されている。同様に、元空気溜め77と供給空気溜め78とは空気管79によって接続されている。同様に、空気溜め72と圧縮空気の供給を受けて動作する機械ブレーキ装置82への圧縮空気の供給量を制御するブレーキ制御装置81とは空気管79で接続され、ブレーキ制御装置81とブレーキ制御装置81を介して空気溜め72から圧縮空気の供給を受けて動作する機械ブレーキ装置82とは空気管79で接続されている。空気管79は、内部を通る圧縮空気によって変形しない程度の剛性と強度を有する部材で形成される。
    [0015]元空気溜め77は、空気管79および空気管11を介して車載機器1に圧縮空気を供給し、空気管79を介して供給空気溜め78に圧縮空気を供給する。元空気溜め77は、車載機器1および供給空気溜め78に加えて、図示しない鉄道車両に搭載されている機器、例えば、ドア開閉装置、警笛、車体を支持する空気ばね装置等に、圧縮空気を供給する。
    [0016]供給空気溜め78に溜められている圧縮空気は、ブレーキ制御装置81を介して機械ブレーキ装置82に供給され、鉄道車両の制動力を生じさせるために用いられる。ブレーキ制御装置81は、図示しない運転台に設けられるマスターコントローラからブレーキ指令を取得する。そして、ブレーキ制御装置81は、ブレーキ指令に応じて、圧縮空気の圧力を調節し、圧力が調節された空気を機械ブレーキ装置82が有するブレーキシリンダに供給する。
    [0017]機械ブレーキ装置82が有するブレーキシリンダに圧力が調節された空気が供給されると、ブレーキシリンダのピストンが摺動する。ピストンの摺動によって、ピストンに取り付けられた摩擦部材が、鉄道車両の走行時に回転する回転体に押し付けられると、鉄道車両の制動力が生じる。摩擦部材は、例えば、制輪子、ブレーキパッド等であり、回転体は、車輪、ディスクロータ等である。
    [0018]空気溜め72から圧縮空気の供給を受ける車載機器1は、図2に示すように、鉄道車両に取り付けられる筐体10と、空気溜め72に連通する空気管11および筐体10の内部に連通し、開度が制御可能な空気供給弁31と、を備える。車載機器1はさらに、筐体10の内部の空気の温度、湿度、および圧力の少なくともいずれかの値を測定する第1センサ13を備えることが好ましい。
    [0019]筐体10は、車体の床下に取り付けられ、発熱する電子部品12を収容する。電子部品12は、例えば、スイッチング素子、コンデンサ、ダイオード等の通電時に発熱する素子である。
    [0020]筐体10の一面には、空気管11が挿通される空気供給孔10aと筐体10の内部の空気を外部に流出させる空気排出孔10bとが形成される。実施の形態1では、空気排出孔10bは、空気供給孔10aが形成される筐体10の一面、換言すれば、空気管11が貫通する筐体10の一面に対向する筐体10の他の一面に形成される。
    [0021]空気供給孔10aが形成される面に平行な面に含まれ、互いに直交する軸として、X軸およびZ軸を設定する。さらに、空気供給孔10aの貫通方向に平行であって、X軸およびZ軸のそれぞれに直交する軸としてY軸を設定する。筐体10は、例えば、X軸方向が鉄道車両の進行方向に一致し、Y軸が鉄道車両の幅方向に一致する向きで、鉄道車両に取り付けられる。この場合、鉄道車両が水平に位置している状態で、Z軸は鉛直方向を示す。
    [0022]空気管11の一端は、元空気溜め77と供給空気溜め78とを接続する空気管79に連通する。空気管11の他端は、筐体10の空気供給孔10aを通って筐体10の内部に引き通され、空気供給弁31に連通する。
    [0023]空気供給弁31は、開かれた状態では空気管11を介して空気溜め72から供給される圧縮空気を筐体10の内部に流入させ、閉じられた状態では圧縮空気が筐体10の内部に流入することを抑制する。空気供給弁31が電磁弁である場合を例にして、空気供給弁31について説明する。図2におけるIII-III線での矢視断面図である図3に示すように、空気供給弁31は、空気管11に取り付けられる弁本体32と、弁本体32の内部を仕切る仕切部材33と、を備える。
    [0024]空気供給弁31はさらに、弁本体32に取り付けられるカバー34と、カバー34に収容されて取り付けられる固定部材35と、固定部材35に取り付けられ、可動部材37を固定部材35から離隔する方向に付勢する付勢部材36と、一部が弁本体32に収容され、他の一部がカバー34に収容される可動部材37と、を備える。空気供給弁31はさらに、付勢部材36および可動部材37を覆う筒状の形状を有するガイド38と、固定部材35およびガイド38の周りに巻かれているコイル39と、を備える。
    [0025]実施の形態1では、空気供給弁31は、付勢部材36が可動部材37を付勢する方向がZ軸負方向に一致する向きで、空気管11に取り付けられる。
    [0026]弁本体32には、空気管11の他端に連通する吸気孔32aと筐体10の内部に連通する排気孔32bとが形成される。弁本体32の内部には、吸気孔32aから排気孔32bに至る流路32cが形成される。
    [0027]仕切部材33は、弁本体32の内部において、排気孔32bを覆って、排気孔32bと吸気孔32aとを隔てる。仕切部材33には、可動部材37によって開閉可能な開口33aが形成される。
    [0028]カバー34は、弁本体32のZ軸に直交する外面に取り付けられる。カバー34は、上述の空気供給弁31の構成要素の内、固定部材35、付勢部材36、可動部材37の一部、ガイド38の一部、およびコイル39を収容する。
    [0029]固定部材35は、カバー34のZ軸に直交する内面に取り付けられ、付勢部材36を保持する。固定部材35には、ガイド38の一端が取り付けられる。
    [0030]付勢部材36の一端は、固定部材35に取り付けられ、他端は、可動部材37に取り付けられる。例えば、付勢部材36は、弾性部材で形成され、可動部材37をZ軸負方向に付勢する。
    [0031]可動部材37は、付勢部材36に取り付けられる。可動部材37の一部は弁本体32に収容され、可動部材37の他の一部はカバー34に収容される。可動部材37は、ガイド38に沿ってZ軸方向に摺動可能な形状の磁性体で形成される。
    [0032]ガイド38は、筒状の非磁性体で形成される。ガイド38の一端は、固定部材35に取り付けられ、他端は、弁本体32に取り付けられる。
    [0033]コイル39は、Z軸に平行な軸を中心軸として、固定部材35およびガイド38の周りに巻かれている。コイル39には、図示しない制御用電源から電流が供給される。
    [0034]コイル39に電流が供給されていない間は、図3に示すように、付勢部材36によってZ軸負方向に付勢されている可動部材37が仕切部材33の開口33aを塞ぐため、流路32cは塞がれている。換言すれば、空気供給弁31は閉じられている。
    [0035]コイル39に電流が供給されると、コイル39に磁界が発生し、磁性体である可動部材37がZ軸正方向に移動するため、図4に示すように、可動部材37が仕切部材33から離隔する。この結果、吸気孔32aを介して空気管11から流入した圧縮空気は、流路32cを通って、排気孔32bから筐体10の内部に流入する。圧縮空気が、圧縮空気よりも圧力が低い筐体10の内部に放出されると、ボイル・シャルルの法則に従って、圧縮空気の圧力の低下とともに、圧縮空気の温度が低下する。この結果、放出された圧縮空気の周囲にある筐体10の内部の空気が冷却され、筐体10に収容されている電子部品12を冷却することが可能となる。
    [0036]上記構成を有する空気供給弁31の開度を制御する仕組みについて以下に説明する。図5に車載機器1の電気的構成を示す。車載機器1が、図示しない集電装置から供給される電力を負荷装置90に供給するための電力に変換する電力変換装置である場合を例にして、車載機器1の電気的構成について説明する。
    [0037]集電装置は、例えば、変電所から架線を介して電力を取得するパンタグラフ、変電所から第三軌条を介して電力を取得する集電靴等である。車載機器1は、集電装置から供給された電力を負荷装置90に供給するための三相交流電力に変換し、三相交流電力を負荷装置90に供給する。負荷装置90は、例えば、鉄道車両の推進力を生じさせる三相誘導電動機である。
    [0038]車載機器1は、集電装置から供給される電力を負荷装置90に供給するための電力に変換する電力変換回路14と、図示しない制御用電源から電力の供給を受けて電力変換回路14が有するスイッチング素子を制御するスイッチング制御部15と、制御用電源から電力の供給を受けて空気供給弁31の開度を制御する空気供給弁制御部16と、制御用電源と空気供給弁31との間の電気回路に設けられるスイッチ17と、を備える。
    [0039]図1の電子部品12の一例が、電力変換回路14、スイッチング制御部15、空気供給弁制御部16およびスイッチ17であり、電力変換回路14、スイッチング制御部15、空気供給弁制御部16およびスイッチ17は筐体10の内部に収容される。図5に示すように、実施の形態1では、電力変換回路14は、集電装置から供給される電力を、鉄道車両の推進力を生じさせる三相誘導電動機である負荷装置90に供給するための三相交流電力に変換し、三相交流電力を負荷装置90に供給する。
    [0040]スイッチング制御部15は、運転台から取得する運転指令、電力変換回路14の出力電流および出力電圧等に応じて、電力変換回路14が有するスイッチング素子を制御し、電力変換回路14の出力電圧を目標電圧に近づける。
    [0041]上述したように、空気供給弁制御部16が空気供給弁31を開くと、圧縮空気が筐体10の内部に流入し、筐体10の内部の空気が冷却され、筐体10に収容されている電子部品12が冷却される。空気供給弁31の開度の制御方法の一例として、空気供給弁制御部16は、筐体10の内部の状態を示す物理量、例えば、筐体10の内部の空気の温度、湿度、および圧力の少なくともいずれかに応じて、空気供給弁31の開度を制御する。
    [0042]詳細には、空気供給弁制御部16は、第1センサ13から筐体10の内部の空気の温度、湿度、および圧力の少なくともいずれかの測定値を取得し、筐体10の内部の空気の温度、湿度、および圧力の少なくともいずれかが目標値範囲に含まれるように、空気供給弁31の開度を制御する。実施の形態1では、空気供給弁制御部16は、第1センサ13から筐体10の内部の空気の温度の測定値を取得し、筐体10の内部の空気の温度が目標温度範囲に含まれるように、空気供給弁31の開度を制御する。目標温度範囲は、電子部品12が耐え得る温度、例えば、電力変換回路14が有するスイッチング素子が耐え得る温度により定まる目標値範囲である。一例として、電子部品12が耐え得る温度の最大値より低い温度である閾値温度以下の範囲を目標温度範囲とする。
    [0043]実施の形態1では、空気供給弁31の開度の制御の一例として、空気供給弁31の開閉の切り替えが行われる。具体的には、空気供給弁制御部16は、スイッチ17のオンオフを切り替えることで、空気供給弁31の開閉を切り替える。スイッチ17は、例えば、FET(Field Effect Transistor:電界効果トランジスタ)である。空気供給弁制御部16は、スイッチ17のゲート端子に制御信号を送ることで、スイッチ17のオンオフを切り替える。
    [0044]空気供給弁制御部16がスイッチ17をオンにすると、制御用電源からスイッチ17を介して、図3に示す空気供給弁31のコイル39に電流が流れる。コイル39に電流が流れて磁界が発生することで、図4に示すように、可動部材37がZ軸正方向に移動して仕切部材33から離隔し、空気供給弁31が開かれる。この結果、空気溜め72に溜められている圧縮空気は、空気管11から、空気供給弁31の吸気孔32a、流路32c、および排気孔32bを順に通って、筐体10の内部に流入する。
    [0045]図5に示す空気供給弁制御部16がスイッチ17をオフにすると、図3に示す空気供給弁31のコイル39は、制御用電源から電気的に切り離される。すなわち、コイル39には電流が流れず、磁界は発生しない。このため、可動部材37は、付勢部材36によってZ軸負方向に付勢され、仕切部材33に当接する。この結果、仕切部材33の開口33aが可動部材37によって塞がれ、流路32cは塞がれる。すなわち、空気供給弁31は閉じられる。
    [0046]上記構成を有する車載機器1の各部を制御する制御回路のハードウェア構成を図6に示す。車載機器1は、プロセッサ91と、メモリ92と、インターフェース93と、を備える。プロセッサ91、メモリ92、およびインターフェース93は互いにバス94で接続されている。
    [0047]車載機器1の機能は、ソフトウェア、ファームウェア、またはソフトウェアとファームウェアとの組み合わせにより実現される。ソフトウェアおよびファームウェアはプログラムとして記述され、メモリ92に格納される。プロセッサ91が、メモリ92に記憶されたプログラムを読み出して実行することにより、上述の各部の機能が実現される。すなわち、メモリ92には、車載機器1の処理を実行するためのプログラムが格納される。
    [0048]メモリ92は、例えば、RAM(Random Access Memory)、ROM(Read-Only Memory)、フラッシュメモリ、EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory)、EEPROM(Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory)等の不揮発性または揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク、フレキシブルディスク、光ディスク、コンパクトディスク、ミニディスク、DVD(Digital Versatile Disc)等を含む。
    [0049]車載機器1は、インターフェース93を介して、鉄道車両に搭載されている他の機器、例えば、運転台に設けられたマスターコントローラ、図示しない列車情報管理システム等に接続される。インターフェース93は、接続先に応じたインターフェースモジュールを有する。
    [0050]上記構成を有する車載機器1が行う空気供給弁31の制御方法の詳細について以下に説明する。車載機器1は、制御用電源から電力の供給が開始されると、図7に示す処理を開始する。空気供給弁制御部16は、第1センサ13から、筐体10の内部の空気の温度の測定値を取得する(ステップS11)。ステップS11で取得された温度の測定値が目標温度範囲の上限値以下である場合(ステップS12;No)、空気供給弁制御部16はスイッチ17をオフにすることで、空気供給弁31を閉じる(ステップS13)。空気供給弁31を閉じるという制御は、空気供給弁31が閉じられた状態を維持することを含むものとする。ステップS13の処理が終わると、車載機器1は、ステップS11から上述の処理を繰り返す。
    [0051]ステップS11で取得された温度の測定値が目標温度範囲の上限値より高い場合(ステップS12;Yes)、空気供給弁制御部16はスイッチ17をオンにすることで、空気供給弁31を開く(ステップS14)。空気供給弁31を開くという制御は、空気供給弁31が開かれた状態を維持することを含むものとする。ステップS14の処理が終わると、車載機器1は、ステップS11から上述の処理を繰り返す。ステップS14で空気供給弁31が開かれると、空気管11から圧縮空気が筐体10の内部に流入する。圧縮空気が、圧縮空気よりも圧力が低い筐体10の内部に放出されると、ボイル・シャルルの法則に従って、圧縮空気の圧力の低下とともに、圧縮空気の温度が低下する。この結果、放出された圧縮空気の周囲にある筐体10の内部の空気の温度が低下する。これにより、筐体10に収容されている電子部品12が冷却される。
    [0052]以上説明した通り、実施の形態1に係る車載機器1は、空気溜め72に溜められている圧縮空気を空気管11および空気供給弁31を介して筐体10の内部に供給することで、筐体10の内部の空気の温度を下げ、筐体10の内部に収容される電子部品12を冷却する。空気溜め72に溜められている圧縮空気を用いるため、筐体10の外部の空気が高温であっても、筐体10の内部に収容される電子部品12を冷却することが可能となり、高い冷却性能を有する車載機器1が得られる。
    [0053]上述のように、筐体10の内部の空気の温度が目標温度範囲の上限値を超えると空気供給弁31が開かれ、圧縮空気が筐体10の内部に供給される場合、筐体10の内部の空気の温度を目標温度範囲の上限値以下に維持することが可能となる。
    [0054](実施の形態2) 実施の形態1では、空気供給弁31が筐体10の内部に設けられているが、空気供給弁31は筐体10の外部に設けられてもよい。ブレーキ制御装置81の筐体内部に設けられている空気供給弁31を備える車載機器2について、車載機器1との差異を中心に実施の形態2で説明する。
    [0055]図8に示す車載機器2が備える空気供給弁31は、筐体10の内部に連通する空気管18に連通する。車載機器2の各部について以下に説明する。
    [0056]空気管11の一端は、実施の形態1と同様に、元空気溜め77と供給空気溜め78とを接続する空気管79に連通する。空気管11は、ブレーキ制御装置81の筐体80に形成される貫通孔を通して、筐体80の内部に引き通される。
    [0057]空気供給弁31は、ブレーキ制御装置81の筐体80の内部に設けられ、空気管11,18に連通する。
    [0058]空気管18は、筐体80の内部から筐体80に形成される貫通孔を通して、筐体80の外部に引き出され、筐体10に形成される空気供給孔10aを通して筐体10の内部に引き通される。
    [0059]ブレーキ制御装置81は、車体に取り付けられる筐体80と、供給空気溜め78から供給される圧縮空気の圧力をブレーキ指令に応じて調節して出力する電空変換弁83と、電空変換弁83が出力する空気の圧力である指令圧に応じて、供給空気溜め78から供給される圧縮空気の圧力を調節して出力する中継弁84と、を備える。
    [0060]電空変換弁83および中継弁84は、空気管79を介して、供給空気溜め78に接続される。電空変換弁83と中継弁84は互いに空気管79を介して接続される。中継弁84は、空気管79を介して機械ブレーキ装置82に接続される。
    [0061]車載機器2の電気的構成および各部を制御するハードウェア構成は、車載機器1と基本的に同様である。実施の形態2では、車載機器2が備える空気供給弁制御部16およびスイッチ17は、ブレーキ制御装置81の筐体80の内部に設けられる。筐体10の内部に設けられる第1センサ13に接続されている信号線は、筐体10から引き出され、筐体80の内部に引き通されて、筐体80の内部に設けられる空気供給弁制御部16に接続される。これにより、車載機器2が備える空気供給弁制御部16は、実施の形態1と同様に空気供給弁31を制御することができる。
    [0062]以上説明した通り、実施の形態2に係る車載機器2は、空気溜め72に溜められている圧縮空気を空気管11、ブレーキ制御装置81の筐体80の内部に設けられる空気供給弁31、および空気管18を介して筐体10の内部に供給する。圧縮空気が、圧縮空気よりも圧力が低い筐体10の内部に放出されると、ボイル・シャルルの法則に従って、圧縮空気の圧力の低下とともに、圧縮空気の温度が低下する。この結果、放出された圧縮空気の周囲にある筐体10の内部の空気が冷却され、筐体10の内部に収容されている電子部品12が冷却される。空気溜め72に溜められている圧縮空気を用いるため、筐体10の外部の空気が高温であっても、筐体10の内部に収容される電子部品12を冷却することが可能となり、高い冷却性能を有する車載機器2が得られる。空気供給弁31がブレーキ制御装置81の筐体80の内部に設けられているため、車載機器2の筐体10の内部の構造は簡易である。
    [0063](実施の形態3) 車載機器の構造は、上述の例に限られない。空気排出孔10bからの空気の流出を調節可能な空気排出弁を備える車載機器3について、車載機器1との差異を中心に実施の形態3で説明する。
    [0064]図9に示すように、車載機器3は、車載機器1の構成に加えて、空気排出孔10bを覆って筐体10の外面に取り付けられる空気排出弁19を備える。空気排出弁19は、筐体10の内部と外部に連通する。空気排出弁19は、開かれた状態では筐体10の内部の空気を筐体10の外部に流出させ、閉じられた状態では筐体10の内部の空気が筐体10の外部に流出することを抑制する。車載機器3の電気的構成および各部を制御するハードウェア構成は、車載機器1と同様である。
    [0065]図9のX-X線での矢視断面図である図10に示すように、空気排出弁19は、空気排出孔10bを覆うことができる形状を有する弁体41と、弁体41を筐体10の外部から内部に向けて付勢する付勢部材42と、筐体10に取り付けられ、付勢部材42を保持する保持部材43と、を有する。
    [0066]弁体41は、例えば、貫通方向に直交する断面が円形に形成された空気排出孔10bの直径より直径が大きい球体の形状を有し、空気排出孔10bを筐体10の外部から塞ぐ。弁体41は、付勢部材42によって筐体10に押し付けられても変形しない程度の剛性および強度を有する部材、例えば、金属で形成されることが好ましい。
    [0067]付勢部材42は、弾性部材で形成され、弁体41をY軸負方向に付勢する。例えば、付勢部材42は、Y軸に平行な中心軸周りに巻かれた巻きバネで形成される。
    [0068]保持部材43は、両端に開口43a,43bが形成されている筒状の形状を有する。保持部材43は、一方の開口43aが空気排出孔10bに連通する向きで、筐体10に取り付けられる。保持部材43は、鉄道車両の走行時の振動を受けても、保持部材43と筐体10との相対的な位置関係が変化しない程度の強度で筐体10に取り付けられればよい。具体的には、保持部材43は、嵌合、ろう付け、溶接、接着剤を用いた接着、締結部材を用いた締結等の取り付け方法で筐体10の外面に取り付けられる。
    [0069]上記構成を有する空気排出弁19は、筐体10の内部の空気の圧力に応じて開閉する。具体的には、弁体41が筐体10の内部の空気から受けるY軸正方向の力と弁体41が付勢部材42から受けるY軸負方向の力との大小関係に応じて、空気排出弁19が開閉する。弁体41が付勢部材42から受けるY軸負方向の力が、弁体41が筐体10の内部の空気から受けるY軸正方向の力より大きい場合、図10に示すように、弁体41は、筐体10に押し付けられている。このため、筐体10の内部の空気は、空気排出孔10bから筐体10の外部に流出しない。換言すれば、図10の状態では、空気排出弁19は閉じられている。
    [0070]空気供給弁制御部16が空気供給弁31を開くことで、空気溜め72から空気管11を介して筐体10の内部に圧縮空気が供給されると、筐体10の内部の空気の圧力が高くなる。この結果、弁体41が筐体10の内部の空気から受けるY軸正方向の力が大きくなる。弁体41が筐体10の内部の空気から受けるY軸正方向の力が、弁体41が付勢部材42から受けるY軸負方向の力より大きくなると、図11に示すように、弁体41は筐体10から離隔する。このため、筐体10の内部の空気は、空気排出孔10bから保持部材43の一方の開口43a、保持部材43の内部、および保持部材43の他方の開口43bを通って流出する。換言すれば、図11の状態では、空気排出弁19が開かれている。
    [0071]上述のように、筐体10の内部の空気の圧力が高くなると、空気排出弁19が開かれ、筐体10の内部の空気が筐体10の外部に流出する。このため、筐体10の内部の空気の圧力が過度に高くなることが抑制される。
    [0072]上記構成を有する車載機器3が備える空気供給弁制御部16が空気供給弁31を開くと、実施の形態1と同様に、圧縮空気が筐体10の内部に流入し、筐体10の内部の空気が冷却され、筐体10に収容されている電子部品12が冷却される。実施の形態3では、空気供給弁制御部16は、実施の形態1は異なり、筐体10の内部の空気の温度によらない制御方法で空気供給弁31の開度を制御する。具体的には、空気供給弁制御部16は、筐体10の内部の空気の湿度に応じて空気供給弁31の開度を制御する。
    [0073]例えば、空気供給弁制御部16は、筐体10の内部の空気の湿度が目標湿度範囲に含まれるように、空気供給弁31の開度を制御する。実施の形態3では、空気供給弁31の開度の制御の一例として、空気供給弁31の開閉の切り替えが行われる。目標湿度範囲は、過度に高い湿度に起因する電子部品12の劣化、例えば、電子部品12の一例であるスイッチング素子が形成される基板の錆、層間剥離等を抑制可能な湿度により定まる目標値範囲である。一例として、電子部品12の劣化を抑制可能な湿度の最大値より低い湿度である閾値湿度以下の範囲を目標湿度範囲とする。
    [0074]車載機器3が行う空気供給弁31の制御方法の詳細について、以下に説明する。車載機器3は、制御用電源から電力の供給が開始されると、図12に示す処理を開始する。図12のステップS13,S14の処理は、図7のステップS13,14の処理と同様である。空気供給弁制御部16は、第1センサ13から、筐体10の内部の空気の湿度の測定値を取得する(ステップS21)。ステップS21で取得された湿度の測定値が目標湿度範囲の上限値以下である場合(ステップS22;No)、空気供給弁制御部16はスイッチ17をオフにすることで、空気供給弁31を閉じる(ステップS13)。ステップS13の処理が終わると、車載機器3は、ステップS21から上述の処理を繰り返す。
    [0075]ステップS21で取得された湿度の測定値が目標湿度範囲の上限値より高い場合(ステップS22;Yes)、空気供給弁制御部16はスイッチ17をオンにすることで、空気供給弁31を開く(ステップS14)。ステップS14の処理が終わると、車載機器3は、ステップS21から上述の処理を繰り返す。
    [0076]ステップS14で空気供給弁31が開かれると、実施の形態1と同様に、空気管11から圧縮空気が筐体10の内部に流入する。圧縮空気が、圧縮空気よりも圧力が低い筐体10の内部に放出されると、ボイル・シャルルの法則に従って、圧縮空気の圧力の低下とともに、圧縮空気の温度が低下する。この結果、放出された圧縮空気の周囲にある筐体10の内部の空気の温度が低下する。これにより、筐体10に収容されている電子部品12が冷却される。圧縮空気は、エアドライヤー76で乾燥されているため、筐体10の内部の空気よりも乾燥した空気である。このため、ステップS14で空気供給弁31が開かれ、圧縮空気が筐体10の内部に放出されると、筐体10の内部の空気の湿度が低下する。
    [0077]以上説明した通り、実施の形態3に係る車載機器3は、筐体10の内部の空気の圧力に応じて開閉する空気排出弁19を備えるため、筐体10の内部の空気の圧力が過剰に高くなることが抑制される。
    [0078]上述のように、筐体10の内部の空気の湿度が目標湿度範囲の上限値を超えると空気供給弁31が開かれ、圧縮空気が筐体10の内部に供給される場合、筐体10の内部の空気の湿度を目標湿度範囲の上限値以下に維持することが可能となる。
    [0079](実施の形態4) 空気排出弁の構造は、上述の例に限られず、空気排出孔10bからの空気の流出を調節可能であれば任意である。上述の例とは異なる構造の空気排出弁を備える車載機器4について、車載機器1との差異を中心に実施の形態4で説明する。
    [0080]図13に示すように、車載機器4は、車載機器1の構成に加えて、空気排出孔10bを通って筐体10の内部から外部に引き出される空気管20および筐体10の内部に連通し、開度が制御可能な空気排出弁51と、を備える。空気排出弁51は、開かれた状態では筐体10の内部の空気を筐体10の外部に流出させ、閉じられた状態では筐体10の内部の空気が筐体10の外部に流出することを抑制する。
    [0081]空気供給孔10aには、空気管11が挿通されるカプラが設けられることが好ましい。カプラが設けられることで、水分、塵埃等の異物を含む筐体10の外部の空気が空気供給孔10aから筐体10の内部に流入することが抑制される。同様に、空気排出孔10bには、空気管20が挿通されるカプラが設けられることが好ましい。カプラが設けられることで、異物を含む空気が空気排出孔10bから筐体10の内部に流入することが抑制される。
    [0082]空気管20の一端は、空気排出弁51に連通する。空気管20の他端は、筐体10の空気排出孔10bを通って筐体10の外部に引き出され、筐体10の外部に連通する。
    [0083]空気排出弁51が空気供給弁31と同様の構成の電磁弁である場合を例にして、空気排出弁51について説明する。図13におけるXIV-XIV線での矢視断面図である図14に示すように、空気排出弁51は、空気管20に取り付けられる弁本体52と、弁本体52の内部を仕切る仕切部材53と、を備える。
    [0084]空気排出弁51はさらに、弁本体52に取り付けられるカバー54と、カバー54に収容され、カバー54に取り付けられる固定部材55と、固定部材55に取り付けられ、可動部材57を固定部材55から離隔する方向に付勢する付勢部材56と、一部が弁本体52に収容され、他の一部がカバー54に収容される可動部材57と、を備える。空気排出弁51はさらに、付勢部材56および可動部材57を覆う筒状の形状を有するガイド58と、固定部材55およびガイド58の周りに巻かれているコイル59と、を備える。
    [0085]実施の形態4では、空気排出弁51は、付勢部材56が可動部材57を付勢する方向がZ軸負方向に一致する向きで、空気管20に取り付けられる。
    [0086]弁本体52には、筐体10の内部に連通する吸気孔52aと空気管20の一端に連通する排気孔52bとが形成される。弁本体52の内部には、吸気孔52aから排気孔52bに至る流路52cが形成される。
    [0087]仕切部材53は、弁本体52の内部において、排気孔52bを覆って、排気孔52bと吸気孔52aとを隔てる。仕切部材53には、可動部材57によって開閉可能な開口53aが形成される。
    [0088]カバー54は、弁本体52のZ軸に直交する外面に取り付けられる。カバー54は、上述の空気排出弁51の構成要素の内、固定部材55、付勢部材56、可動部材57の一部、ガイド58の一部、およびコイル59を収容する。
    [0089]固定部材55は、カバー54のZ軸に直交する内面に取り付けられ、付勢部材56を保持する。固定部材55には、ガイド58の一端が取り付けられる。
    [0090]付勢部材56の一端は、固定部材55に取り付けられ、他端は、可動部材57に取り付けられる。例えば、付勢部材56は、弾性部材で形成され、可動部材57をZ軸負方向に付勢する。
    [0091]可動部材57は、付勢部材56に取り付けられる。可動部材57の一部は弁本体52に収容され、可動部材57の他の一部がカバー54に収容される。可動部材57は、ガイド58に沿ってZ軸方向に摺動可能な形状の磁性体で形成される。
    [0092]ガイド58は、筒状の非磁性体で形成される。ガイド58の一端は、固定部材55に取り付けられ、他端は、弁本体52に取り付けられる。
    [0093]コイル59は、Z軸に平行な軸を中心軸として、固定部材55およびガイド58の周りに巻かれている。コイル59には、制御用電源から電流が供給される。
    [0094]コイル59に電流が供給されていない間は、図14に示すように、付勢部材56によってZ軸負方向に付勢されている可動部材57が仕切部材53の開口53aを塞ぐため、流路52cは塞がれている。換言すれば、空気排出弁51は閉じられている。
    [0095]コイル59に電流が供給されると、コイル59に磁界が発生し、磁性体である可動部材57がZ軸正方向に移動するため、可動部材57が仕切部材53から離隔する。この結果、筐体10の内部の空気は、吸気孔52aを介して弁本体52の内部に流入し、流路52cを通って、排気孔52bから筐体10の外部に流出する。換言すれば、空気排出弁51は開かれている。
    [0096]空気供給弁31および空気排出弁51の開度を制御する仕組みについて以下に説明する。図15に車載機器4の電気的構成を示す。車載機器4は、車載機器1の電気的構成に加えて、空気排出弁51の開度を制御する空気排出弁制御部21と、制御用電源と空気排出弁51との間の電気回路に設けられるスイッチ22と、を備える。
    [0097]上記構成を有する車載機器4が備える空気供給弁制御部16が空気供給弁31を開くと、実施の形態1と同様に、圧縮空気が筐体10の内部に流入し、筐体10の内部の空気が冷却され、筐体10に収容されている電子部品12が冷却される。上述のように圧縮空気が筐体10の内部に流入すると、筐体10の内部の空気の圧力が高くなる。筐体10の内部の空気の圧力と筐体10の外部の空気の圧力との差が過剰に大きくなることで筐体10が変形することがある。
    [0098]実施の形態4では、筐体10の変形を抑制するため、空気供給弁制御部16は、筐体10の内部の空気の圧力に応じて空気供給弁31の開度を制御する。例えば、空気供給弁制御部16は、筐体10の内部の空気の圧力が目標圧力範囲に含まれるように、空気供給弁31の開度を制御する。実施の形態4では、空気供給弁31の開度の制御の一例として、空気供給弁31の開閉の切り替えが行われる。目標圧力範囲は、筐体10の形状が維持される場合の筐体10の外部の空気の圧力と筐体10の内部の空気の圧力との差に応じて定められる目標値範囲である。
    [0099]筐体10の変形を抑制するため、空気排出弁制御部21は、筐体10の内部の空気の圧力に応じて空気排出弁51の開度を制御する。例えば、空気排出弁制御部21は、筐体10の内部の空気の圧力が目標圧力範囲に含まれるように、空気排出弁51の開度を制御する。実施の形態4では、空気排出弁51の開度の制御の一例として、空気排出弁51の開閉の切り替えが行われる。空気排出弁制御部21が空気排出弁51を開くと、筐体10の内部の空気は筐体10の外部に排出され、筐体10の内部の空気の圧力が低下する。
    [0100]詳細には、空気排出弁制御部21は、第1センサ13から筐体10の内部の空気の圧力の測定値を取得し、筐体10の内部の空気の圧力が目標値範囲に含まれるように、空気排出弁51の開度を制御する。
    [0101]スイッチ22の構成は、スイッチ17と同様である。空気排出弁制御部21がスイッチ22をオンにすると、制御用電源からスイッチ22を介して、図14に示す空気排出弁51のコイル59に電流が流れる。コイル59に電流が流れて磁界が発生することで、可動部材57がZ軸正方向に移動して仕切部材53から離隔し、空気排出弁51が開かれる。この結果、筐体10の内部の空気は、空気排出弁51の吸気孔52a、流路52c、および排気孔52bを順に通って、空気管20を介して筐体10の外部に流出する。
    [0102]図15に示す空気排出弁制御部21がスイッチ22をオフにすると、図14に示す空気供給弁31のコイル59は、制御用電源から電気的に切り離される。すなわち、コイル59には電流が流れず、磁界は発生しない。このため、可動部材57は、付勢部材56によってZ軸負方向に付勢され、仕切部材53に当接する。この結果、仕切部材53の開口53aが可動部材57によって塞がれ、流路52cは塞がれる。すなわち、空気排出弁51は閉じられる。
    [0103]上記構成を有する車載機器4の各部を制御する制御回路のハードウェア構成は、車載機器1と同様である。
    [0104]車載機器4が行う空気供給弁31および空気排出弁51の制御方法の詳細について、以下に説明する。車載機器4は、制御用電源から電力の供給が開始されると、図16に示す処理を開始する。空気供給弁制御部16および空気排出弁制御部21は、第1センサ13から、筐体10の内部の空気の圧力の測定値を取得する(ステップS31)。ステップS31で取得された圧力の測定値が目標圧力範囲の下限値より低い場合(ステップS32;Yes)、空気供給弁制御部16はスイッチ17をオンにすることで、空気供給弁31を開き(ステップS33)、空気排出弁制御部21はスイッチ22をオフにすることで、空気排出弁51を閉じる(ステップS34)。空気排出弁51を閉じるという制御は、空気排出弁51が閉じられた状態を維持することを含むものとする。ステップS34の処理が終わると、車載機器4は、ステップS31から上述の処理を繰り返す。
    [0105]空気供給弁31が開かれ、かつ、空気排出弁51が閉じられた状態では、空気溜め72から空気管11を介して圧縮空気が筐体10の内部に供給されるが、筐体10の内部の空気は排出されないので、筐体10の内部の空気の圧力が上昇する。
    [0106]ステップS31で取得された圧力の測定値が目標圧力範囲の上限値より高い場合(ステップS32;No、ステップS35;Yes)、空気供給弁制御部16はスイッチ17をオフにすることで、空気供給弁31を閉じ(ステップS36)、空気排出弁制御部21はスイッチ22をオンにすることで、空気排出弁51を開く(ステップS37)。空気排出弁51を開くという制御は、空気排出弁51が開かれた状態を維持することを含むものとする。ステップS37の処理が終わると、車載機器4は、ステップS31から上述の処理を繰り返す。
    [0107]空気供給弁31が閉じられ、かつ、空気排出弁51が開かれた状態では、空気溜め72から圧縮空気は供給されず、筐体10の内部の空気は筐体10の外部に流出するので、筐体10の内部の空気の圧力が低下する。
    [0108]ステップS31で取得された圧力の測定値が目標圧力範囲にある場合(ステップS32;No、ステップS35;No)、空気供給弁制御部16はスイッチ17のオンオフを切り替えないことで、空気供給弁31の開閉状態を維持し、空気排出弁制御部21はスイッチ22のオンオフを切り替えないことで、空気排出弁51の開閉状態を維持する(ステップS38)。例えば、空気供給弁31および空気排出弁51がいずれも開かれた状態で、ステップS31で取得された圧力の測定値が目標圧力範囲にある場合、空気供給弁31および空気排出弁51はいずれも開かれた状態で維持される。ステップS38の処理が終わると、車載機器4は、ステップS31から上述の処理を繰り返す。
    [0109]以上説明した通り、実施の形態4に係る車載機器4は、筐体10の内部の空気の圧力に応じて、空気供給弁31および空気排出弁51の開度を制御するため、筐体10の内部の空気の圧力を目標圧力範囲に維持することが可能となる。
    [0110](実施の形態5) 空気供給弁31の制御方法は上述の例に限られない。筐体10の内部の状態を示す物理量に加えて、空気管11の内部の状態を示す物理量を用いて空気供給弁31が制御されてもよい。筐体10の内部の空気の温度、湿度、および圧力の少なくともいずれかに加えて、空気管11の内部の圧縮空気の温度、湿度、および圧力の少なくともいずれかに応じて空気供給弁31を制御する車載機器5について実施の形態5で説明する。
    [0111]図17に示すように、車載機器5は、車載機器1の構成に加えて、空気管11に取り付けられ、空気管11の内部の圧縮空気の温度、湿度、および圧力の少なくともいずれかの値を測定する第2センサ23をさらに備える。
    [0112]図18に車載機器5の電気的構成を示す。車載機器5が備える空気供給弁制御部16は、第1センサ13から筐体10の内部の空気の温度、湿度、および圧力の少なくともいずれかの測定値を取得し、第2センサ23から空気管11の内部の圧縮空気の温度、湿度、および圧力の少なくともいずれかの測定値を取得する。
    [0113]上記構成を有する車載機器5の各部を制御する制御回路のハードウェア構成は、車載機器1と同様である。
    [0114]車載機器5は、筐体10の内部の空気の温度、湿度、および圧力の少なくともいずれかに応じて空気供給弁31の開度を制御し、空気供給弁31を開く場合は、空気管11の内部の圧縮空気の温度、湿度、および圧力の少なくともいずれかにより定まる時間だけ空気供給弁31を開く。実施の形態5では、空気供給弁制御部16は、筐体10の内部の空気の温度が目標温度範囲に含まれるように、空気供給弁31の開度を制御し、空気供給弁31を開く時間を空気管11の内部の圧縮空気の温度に応じて変化させる。例えば、空気供給弁制御部16は、空気管11の内部の圧縮空気の温度が下がるにつれて、空気供給弁31を開く時間を短くする。
    [0115]車載機器5が行う空気供給弁31の制御方法の詳細について、以下に説明する。車載機器5は、制御用電源から電力の供給が開始されると、図19に示す処理を開始する。図19のステップS11-S13の処理は、図7のステップS11-13の処理と同様である。ステップS11で取得された温度の測定値が目標温度範囲の上限値より高い場合(ステップS12;Yes)、空気供給弁制御部16は、第2センサ23から、空気管11の内部の圧縮空気の温度の測定値を取得する(ステップS41)。そして、空気供給弁制御部16は、ステップS41で取得された圧縮空気の温度の測定値に応じて、空気供給弁31を開く時間を決定する(ステップS42)。空気供給弁制御部16は、ステップS42で決定された時間だけ空気供給弁31を開く(ステップS43)。ステップS43の処理が終わると、車載機器5は、ステップS11から上述の処理を繰り返す。
    [0116]以上説明した通り、実施の形態5に係る車載機器5は、空気管11の内部の圧縮空気の温度、湿度、および圧力の少なくともいずれかにより定まる時間だけ空気供給弁31を開くため、空気管11の内部の圧縮空気の温度、湿度、および圧力の少なくともいずれかに応じて、圧縮空気の筐体10の内部への供給量を調節することが可能となる。
    [0117]本開示は、上述の実施の形態に限られない。上述の実施の形態の内、複数の実施の形態を任意に組み合わせることができる。一例として、車載機器1-3,5は、車載機器4が備える空気排出弁51を備えてもよい。他の一例として、車載機器3-5が備える空気供給弁31は、車載機器2と同様に、ブレーキ制御装置81の筐体80の内部に設けられてもよい。他の一例として、車載機器3-5は、車載機器1と同様に、筐体10の内部の空気の温度に応じて空気供給弁31の開度を制御してもよい。車載機器1-4は、車載機器5と同様に、空気供給弁31を開く場合は、空気管11の内部の圧縮空気の温度、湿度、および圧力の少なくともいずれかにより定まる時間だけ空気供給弁31を開いてもよい。
    [0118]車載機器1-5は、筐体10の内部の空気を循環させるファンを備えてもよい。一例として、図20に示すように、車載機器1は、図2の構成に加えて、筐体10の内部に設けられる2つのファン24をさらに備えてもよい。各ファン24が動作することで、筐体10の内部にY軸正方向に向かう空気の流れが生じる。ファン24を設けて筐体10の内部の空気の流れを作ることで、電子部品12が効率よく冷却される。ファン24の個数および設置位置は、上述の例に限られず、筐体10の内部で空気の流れを作ることができれば、任意である。
    [0119]空気供給弁31および空気排出弁19,51の個数は任意である。具体的には、車載機器は、互いに異なる空気管11に連通する複数の空気供給弁31と、空気排出孔10bごとに設けられる複数の空気排出弁51と、を備えてもよい。一例として、図21に示すように、車載機器4は、互いに異なる空気管11に連通する2つの空気供給弁31と、互いに異なる空気管20に連通する2つの空気排出弁51と、を備えてもよい。この場合、筐体10には、2つの空気供給孔10aと2つの空気排出孔10bが形成される。各空気管11の一端は、元空気溜め77と供給空気溜め78とを接続する空気管79に連通する。空気供給弁31の個数と空気排出弁51の個数は同じでもよいし、異なってもよい。
    [0120]図21に示す空気排出弁51に代えて、空気排出弁19が設けられてもよい。この場合、空気供給弁31の個数と空気排出弁19の個数は同じでもよいし、異なってもよい。
    [0121]他の一例として、車載機器4は、空気供給弁31、空気排出弁19、および空気排出弁51をそれぞれ少なくとも1つ備えてもよい。例えば、車載機器4は、2つの空気供給弁31と、1つの空気排出弁19と、1つの空気排出弁51と、を備えてもよい。
    [0122]空気供給弁31および空気排出弁51の構造は、上述の例に限られず、開度制御可能な弁であればよい。一例として、空気供給弁31および空気排出弁51は、アクチュエータによって弁体を回転させることで開度制御可能な弁でもよい。他の一例として、空気供給弁31および空気排出弁51は、開度が段階的に制御可能な弁または開度が無段階に制御可能な弁でもよい。
    [0123]空気供給弁31および空気排出弁51の取付位置は、上述の例に限られない。一例として、空気供給弁31および空気排出弁51は筐体10の外面に取り付けられてもよい。
    [0124]空気排出弁19の構造は、上述の例に限られず、筐体10の内部の空気の圧力に応じて開閉することで、筐体10の内部の空気の圧力が過度に高くなることを抑制することができる弁であれば、任意である。
    [0125]空気管11の形状は上述の例に限られず、空気溜め72に溜められている圧縮空気を筐体10の内部に供給することができる形状であれば任意である。一例として、図22に示すように、空気管11は、枝分かれした形状を有してもよい。詳細には、空気管11は、元空気溜め77と供給空気溜め78とを接続する空気管79に連通する一端から枝分かれして複数の他端に至る形状を有してもよい。空気管11の各他端は、空気供給弁31に連通すればよい。
    [0126]空気管11の一端は、供給空気溜め78とブレーキ制御装置81とを接続する空気管79に連通してもよい。
    [0127]車載機器2において、空気供給弁31の排気孔32bは、筐体80の内部に連通してもよい。この結果、鉄道車両に搭載される機器の一例であるブレーキ制御装置81を冷却することが可能となる。この場合、電空変換弁83および中継弁84は、空気溜め72から圧縮空気の供給を受けて動作する空制機械である機械ブレーキ装置82への圧縮空気の供給量を調節する供給量調節部として機能する。
    [0128]車載機器2において、空気管18は一端が空気供給弁31に接続され、枝分かれした形状を有してもよい。この場合、空気管18の一方の他端が筐体80に連通し、空気管18の他方の他端が筐体10に連通することで、筐体10,80のそれぞれの内部を冷却することが可能となる。
    [0129]空気供給弁制御部16が設けられる位置は上述の例に限られない。一例として、車載機器2において、空気供給弁制御部16は筐体10の内部に設けられてもよい。
    [0130]空気供給弁制御部16は、上述の制御方法を組み合わせて空気供給弁31を制御してもよい。一例として、空気供給弁制御部16は、第1センサ13から取得した筐体10の内部の空気の温度の測定値が目標温度範囲の上限値より高い場合、または、第1センサ13から取得した筐体10の内部の空気の湿度の測定値が目標湿度範囲の上限値より高い場合に、空気供給弁31を開いてもよい。
    [0131]他の一例として、空気供給弁制御部16は、第1センサ13から取得した筐体10の内部の空気の温度の測定値が目標温度範囲の上限値より高い場合、第1センサ13から取得した筐体10の内部の空気の湿度の測定値が目標湿度範囲の上限値より高い場合、または、第1センサ13から取得した筐体10の内部の空気の圧力の測定値が目標圧力範囲の下限値より低い場合に、空気供給弁31を開いてもよい。
    [0132]空気供給弁31を制御する方法は、上述の例に限られない。一例として、空気供給弁制御部16は、筐体10の内部の空気の温度、湿度、および圧力の推定値の少なくともいずれかに応じて空気供給弁31を制御してもよい。この場合、車載機器1-5は、第1センサ13を備えなくてもよい。例えば、空気供給弁制御部16は、電力変換回路14のスイッチング周波数および電力変換回路14のスイッチング素子に流れる電流の値から電力変換回路14が有するスイッチング素子の温度を推定し、推定したスイッチング素子の温度から筐体10の内部の空気の温度を推定する。そして、空気供給弁制御部16は、筐体10の内部の空気の温度の推定値が目標温度範囲の上限値より高い場合、空気供給弁31を開く。
    [0133]他の一例として、空気供給弁制御部16は、列車情報管理システムから、鉄道車両の走行位置についての情報を取得し、走行位置に応じて定められている空気供給弁31の開閉状態に応じて、空気供給弁31を制御してもよい。この場合、車載機器1-5は、第1センサ13を備えなくてもよい。走行位置に応じた空気供給弁31の制御について図23を用いて説明する。図23のステップS13,S14の処理は、図7のステップS13,14の処理と同様である。車載機器1は、制御用電源から電力の供給が開始されると、図23に示す処理を開始する。空気供給弁制御部16は、列車情報管理システムから、鉄道車両の走行位置についての情報を取得する(ステップS51)。
    [0134]空気供給弁制御部16は、走行位置に応じて定められている空気供給弁31の開閉状態が開く状態であるか否かを判別する(ステップS52)。空気供給弁制御部16は、走行位置と空気供給弁31の開閉状態とを対応付けた情報を予め保持している。ステップS51で取得した走行位置に応じた空気供給弁31の開閉状態が閉じる状態である場合(ステップS52;No)、空気供給弁制御部16はスイッチ17をオフにすることで、空気供給弁31を閉じる(ステップS13)。ステップS13の処理が終わると、車載機器1は、ステップS51から上述の処理を繰り返す。
    [0135]ステップS51で取得した走行位置に応じた空気供給弁31の開閉状態が開く状態である場合(ステップS52;Yes)、空気供給弁制御部16はスイッチ17をオンにすることで、空気供給弁31を開く(ステップS14)。ステップS14の処理が終わると、車載機器1は、ステップS51から上述の処理を繰り返す。
    [0136]走行位置に応じて空気供給弁31の開度を制御することで、例えば、トンネルに入る前に筐体10の内部に圧縮空気を供給して筐体10の内部の空気の圧力を高め、トンネル走行時に筐体10の内部の空気の圧力と筐体10の外部の空気の圧力との差によって筐体10が変形することを抑制することができる。あるいは、海岸、海上を走行する際は、筐体10の内部に圧縮空気を供給して筐体10の内部の空気の湿度が過剰に高くなることを抑制することができる。
    [0137]他の一例として、空気供給弁制御部16は、マスターコントローラから運転指令を取得し、運転指令に応じて空気供給弁31を制御してもよい。この場合、車載機器1-5は、第1センサ13を備えなくてもよい。例えば、空気供給弁制御部16は、運転指令が力行指令を示す場合に、空気供給弁31を開く。これにより、運転指令が力行指令を示す場合、すなわち、車載機器1-5が動作している場合に、筐体10の内部に圧縮空気が供給され、電子部品12が冷却される。
    [0138]他の一例として、空気供給弁制御部16は、段階的にまたは無段階に空気供給弁31の開度を制御してもよい。例えば、空気供給弁制御部16は、空気供給弁31を開く場合は、空気供給弁31の開度と筐体10の内部の空気の温度とに正の相関関係をもたせて、空気供給弁31の開度を制御してもよい。あるいは、空気供給弁制御部16は、空気供給弁31を開く場合は、空気供給弁31の開度と筐体10の内部の空気の湿度とに正の相関関係をもたせて、空気供給弁31の開度を制御してもよい。あるいは、空気供給弁制御部16は、空気供給弁31を開く場合は、空気供給弁31の開度と筐体10の内部の空気の圧力とに負の相関関係をもたせて、空気供給弁31の開度を制御してもよい。
    [0139]他の一例として、空気供給弁制御部16は、筐体10の内部の物理量の測定値と目標値との差を目標範囲内に維持するPID(Proportional-Integral-Differential)制御によって、空気供給弁31の開度を制御してもよい。例えば、空気供給弁制御部16は、筐体10の内部の空気の温度の測定値と目標温度との差を第1閾値以下にするPID制御を行ってもよい。この場合、目標温度を上述の目標温度範囲の中央値とし、第1閾値を目標温度範囲の上限と中央値との差分とすればよい。
    [0140]他の一例として、空気供給弁制御部16は、上述のように空気供給弁31をPID制御する場合の操作量、具体的には、空気供給弁31の開度に応じて空気供給弁31の開閉を切り替えてもよい。例えば、空気供給弁制御部16は、空気供給弁31の開度が0以上1以下の数字で示される場合、PID制御の操作量に応じた空気供給弁31の開度の目標値が開閉閾値0.5以上である場合に、空気供給弁31を開き、PID制御の操作量に応じた空気供給弁31の開度の目標値が開閉閾値0.5未満である場合に、空気供給弁31を閉じる。開閉閾値は0より大きく、1より小さい範囲で任意に定めることができる。
    [0141]筐体10の内部の構造は、上述の例に限られず、空気供給孔10aから空気排出孔10bまでの空気の流路が設けられていれば、任意である。一例として、筐体10の内部に筐体10の内面に当接する板状のフレームが設けられている場合は、フレームに開口が形成されていればよい。他の一例として、筐体10の内部に、空気供給孔10aから空気排出孔10bに至る風洞が設けられてもよい。この場合、風洞に冷却対象の電子部品12が収容されることが好ましい。
    [0142]スイッチ17は、上述の例に限られず、空気供給弁31が有するコイル39への電流の供給量を調節可能な任意の電子部品である。スイッチ17が設けられる位置は任意である。一例として、車載機器2において、スイッチ17は、筐体10の内部に設けられてもよい。
    [0143]スイッチ22は、上述の例に限られず、空気排出弁51が有するコイル59への電流の供給量を調節可能な任意の電子部品である。スイッチ22が設けられる位置は任意である。一例として、車載機器4において、スイッチ22は、筐体10の外部に設けられてもよい。
    [0144]空気排出弁51の制御方法は、上述の例に限られない。車載機器4は、空気供給弁31の開度に応じて空気排出弁51の開度を制御してもよい。図24に車載機器4の変形例の電気的構成を示す。空気排出弁制御部21は、空気供給弁制御部16から空気供給弁31の開閉状態を示す情報を取得する。そして、空気排出弁制御部21は、空気供給弁31が開かれている場合は空気排出弁51を開き、空気供給弁31が閉じられている場合は空気排出弁51を閉じる。
    [0145]例えば、空気排出弁制御部21は、空気供給弁制御部16からスイッチ17に送られる制御信号を取得し、空気供給弁制御部16がスイッチ17に送る制御信号と同じ制御信号をスイッチ22に送ることで、スイッチ22をスイッチ17に連動させてオンオフする。この結果、空気排出弁51は、空気供給弁31の開閉状態に応じて開閉する。
    [0146]他の一例として、空気排出弁制御部21は、空気供給弁31の開度と空気排出弁51の開度に正の相関関係をもたせて、空気排出弁51を制御してもよい。例えば、空気排出弁制御部21は、空気供給弁制御部16から空気供給弁31の開度についての情報を取得し、取得した情報に基づいて、空気排出弁51の開度を制御する。例えば、空気供給弁31の開度が大きくなると、空気排出弁51の開度が大きくなる。
    [0147]元空気溜め77および供給空気溜め78の個数は任意である。例えば、鉄道車両の一編成において、2つの元空気溜め77が設けられ、鉄道車両が有する各車両に供給空気溜め78が設けられてもよい。この場合、各元空気溜め77に複数の供給空気溜め78が接続される。
    [0148]車載機器1-5は、図25に示すように、処理回路95で実現されてもよい。処理回路95は、インターフェース回路96を介して、鉄道車両に搭載されている他の機器、例えば、運転台に設けられたマスターコントローラ、列車情報管理システム等に接続される。処理回路95が専用のハードウェアである場合、処理回路95は、例えば、単一回路、複合回路、プロセッサ、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)、FPGA(Field Programmable Gate Array)、またはこれらの組み合わせ等を有する。車載機器1-5の制御回路、具体的には、スイッチング制御部15および空気供給弁制御部16はそれぞれ個別の処理回路95で実現されてもよいし、スイッチング制御部15および空気供給弁制御部16は共通の処理回路95で実現されてもよい。
    [0149]車載機器1-5の各機能の一部が専用のハードウェアで実現され、他の一部がソフトウェアまたはファームウェアで実現されてもよい。例えば、車載機器1において、スイッチング制御部15は図25に示す処理回路95で実現され、空気供給弁制御部16は図6に示すプロセッサ91がメモリ92に格納されたプログラムを読み出して実行することで実現されてもよい。
    [0150]車載機器1-5は、鉄道車両に限られず、任意の車両、例えば、トロリーバス、バス等に搭載されてもよい。
    [0151]本開示は、本開示の広義の精神と範囲を逸脱することなく、様々な実施の形態及び変形が可能とされるものである。また、上述した実施の形態は、この開示を説明するためのものであり、本開示の範囲を限定するものではない。すなわち、本開示の範囲は、実施の形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。そして、特許請求の範囲内及びそれと同等の開示の意義の範囲内で施される様々な変形が、この開示の範囲内とみなされる。
    [0152]1,2,3,4,5 車載機器、10,80 筐体、10a 空気供給孔、10b 空気排出孔、11,18,20,79 空気管、12 電子部品、13 第1センサ、14 電力変換回路、15 スイッチング制御部、16 空気供給弁制御部、17,22 スイッチ、19,51 空気排出弁、21 空気排出弁制御部、23 第2センサ、24 ファン、31 空気供給弁、32,52 弁本体、32a,52a 吸気孔、32b,52b 排気孔、32c,52c 流路、33,53 仕切部材、33a,43a,43b,53a 開口、34,54 カバー、35,55 固定部材、36,42,56 付勢部材、37,57 可動部材、38,58 ガイド、39,59 コイル、41 弁体、43 保持部材、71 空気供給システム、72 空気溜め、73 コンプレッサ、74 アフタークーラー、75 フィルタ、76 エアドライヤー、77 元空気溜め、78 供給空気溜め、81 ブレーキ制御装置、82 機械ブレーキ装置、83 電空変換弁、84 中継弁、90 負荷装置、91 プロセッサ、92 メモリ、93インターフェース、94 バス、95 処理回路、96 インターフェース回路。
    同族专利
    暂无同族专利