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Since our discovery of high mobility in perovskite oxide BaSnO3, we have been working on various heterostructures based on BaSnO3 oxide semiconductor. In particular we are focused on the 2DEG state at the interface of BaSnO3/LaInO3. These 2DEG state can be used in high power device application but also for probing a new quantum state at low temperature due to its high carrier density. We are currently working on improvement of mobility at low temperatures for such measurrement.
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Materials Today Quantumpp.100002, (2024)
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALSno. 1 (2024): n/a-n/a
APL Materialsno. 12 (2023): 121105-121105-7
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