大功率IGBT过压与过热的分析计算及其对策
Power Electronics（2006）
摘要
结合150kVA超导线圈和锂电池-电容组合式SVG-APF的研制工作,首先剖析了IGBT的内部结构,详细讨论了杂散电感引起的过电压以及对容性母线的设计,最后分析了IGBT通态损耗和开关损耗引起的过热问题,给出了计算实例和实验结果。
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关键词
semiconductor characterrstic,power semiconductor/IGBT,superconduction coil Foundation Project:Supported by National Natural Science Foundation of China(No.50477020) and High Technology Research Project of Jiangsu Province(No.BG2004039)
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