高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制

Deng Jianguo,Liu Yingkun,Zhang Hongliang,Pan Ru,Ma hongmei,Li mingyue,Hu Shunxin,Cui Xianfeng

Semiconductor Technology（2008）

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摘要

采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管,该器件在fo为3.1~3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作,宽带输出功率大于50 W,增益大于7.4 dB,效率大于36%;在Vcc=36 V时,宽带输出功率大于64 W,增益大于8.5 dB,效率大于36%,抗驻波失配能力达到3∶1不烧毁,表现出了良好的微波性能和高的可靠性。

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关键词

Si,equi-planar and self-aligned technology,microwave pulsed power transistor

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