退火处理对SnOx薄膜气敏性能的影响

Lei WANG,Jun DU,Chang-hui MAO,Zhi-min YANG,Yu-hua XIONG,Peng YUAN

Journal of Materials Science and Engineering（2006）

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摘要

采用直流反应溅射方法制备SnOx气敏薄膜,并且在200℃～1000℃的氧化性气氛中进行退火处理.本文研究了退火工艺对二氧化锡薄膜的相结构和表面形貌的影响,并采用XPS表征了不同退火工艺下薄膜表面化学成分的变化.另外,比较了退火工艺对薄膜的电阻和气敏性能影响.实验证明:退火处理对于薄膜的O/Sn影响不大.经过退火处理的薄膜样品,基本具有完整的金红石结构,随着退火温度的增加,薄膜表面孔隙增加,表面电阻和对氢气的敏感性都显著提高.

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关键词

sputtering,film,heat treatment,gas-sensing,SnO_x

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