InP衬底上晶格匹配四元系InAlGaAs的气态源分子束外延生长
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES（2012）
摘要
采用高分辨率X射线衍射摇摆曲线、光致发光以及霍尔测试对采用气态源分子束外延方法生长的四元系InAlGaAs材料性质进行了表征.摇摆曲线结果表明,根据计算数据所生长的InAlGaAs样品与InP衬底基本匹配.光致发光和霍尔测试结果显示随着Al组分的增加,样品的光致发光强度、电子浓度和迁移率均有所下降.样品的三族元素组分由光致发光及X射线衍射实验获得,测试结果与设计值吻合,Al组分的实验设计值与测试结果的关系提供了一种实用的精确控制组分的方法.
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关键词
compound semiconductor,molecular beam epitaxy,InAlGaAs,X-ray diffraction,photoluminescence
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