两种氧化方法对InSb探测器钝化效果的研究

比较了阳极氧化和Photo-CVD氧化两种钝化方式制备InSb 探测器的性能，结果表明前者反偏漏电流小，击穿电压是后者的5倍，背景光电流和零偏阻抗基本相同。C-V测试结果：前者固定表面电荷密度为2×1011 cm-2，后者为1.5×1011 cm-2。两种氧化方法制备的器件经过高温高湿老化试验后，在反偏1 V时，阳极氧化器件漏电比变化率只有Photo-CVD氧化器件的50%，二者背景光电流均有增加，可能与器件光敏面扩大有关。阳极氧化钝化方法，工艺过程易于控制，钝化效果一致性较好，器件的界面状态更加稳定。