用电阻补偿效应分析RTD表观正阻产生的物理机制

Weilian GUO,Shilin ZHANG,Yidian WANG,Luhong MAO,Sheng XIE

Guti Dianzixue Yanjiu Yu Jinzhan/Research and Progress of Solid State Electronics（2013）

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摘要

表观正阻是RTD I-V特性上峰值电压Vp大于谷值电压Vv的现象.以前的观念认为它来源于RTD和其负载电阻RL构成的锁定单元,但未阐明负载电阻产生的物理过程.对表观正阻现象产生的物理机制进行了更进一步的研究,发现了RTD串联电阻增大时形成RL/RTD锁定单元的物理过程,为建立APR的物理模型莫定了基础.

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关键词

APR,Bistability,I-V characteristic,RL/RTD latch element,Resistance compensation effect,RTD

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