X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层

Xiaoming Jiang,Quanjie Jia,Tiandou Hu,Yuying Huang,Wenli Zheng,Wei He,Dingchang Xian,Bin Shi,Zuimin Jiang,Xun Wang

HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION（2001）

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摘要

利用双晶单色器和精密二圆衍射仪，在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术，并用这一实验技术结合X射线衍射方法，研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构. 实验结果表明，由于Ge原子的偏析，在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层，浓度平均值为x≈0.13；650℃退火会使Ge原子向表面扩散，Si晶体中的合金层消失，在晶体表面形成接近纯Ge的单原子层.

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关键词

X-ray standing wave, heterostructure, segregation, atomic position

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