掺镁铌酸锂晶体亚微米畴结构特性研究

Jianghong Yao,Yahui Chen,Boxia Yan,HaoLiang Deng,Yongfa Kong,Shaolin Chen,Jingjun Xu,Guangyin Zhang

Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica（2005）

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摘要

基于畴背向反转效应,利用外加短脉冲极化电场,通过对脉冲宽度、脉冲间隔以及脉冲个数的有效控制,在掺5 mol%镁的铌酸锂晶体上得到周期为1.7 μm的均匀亚微米畴结构,其纵向深度为30-50 μm.同时,使用脉冲宽度为100 ms的宽脉冲信号得到了畴带宽度仅为0.5 μm的非对称微畴结构.对亚微米畴结构产生的微观机制和物理过程进行了初步探讨.

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关键词

backswitching,mgo-doped linbo3,domain-structure,periodical poling

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