厚膜P型宏孔多孔硅阳极氧化电流优化

Li Yang,Guoyan Zhang,Yi Zhou,Huailin Liao,Ru Huang,Xing Zhang,Yangyuan Wang

RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING（2006）

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摘要

采用电化学腐蚀的方法成功地制备了厚膜p型宏孔多孔硅.氢氟酸和二甲基甲酰胺按体积比1:4组成电化学腐蚀的溶液.通过在不同条件下制备的多组样品,得出了多孔硅生长速度与电流密度以及腐蚀厚度与腐蚀时间的函数关系.通过ESEM对所制样品进行了表面和截面形貌分析,得出30 mA/cm2～50 mA/cm2的阳极电流密度是制备高质量厚膜p型宏孔多孔硅的最佳条件.

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关键词

dimethylformamide (DMF),porous silicon (PS),electrochemical etching,anodic current density

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