辐照对SiGe HBT增益的影响

Meng Xiangti,Wang Jilin,Huang Qiang,Jia Hongyong,Chen Peiyi,Qian Peixin

Journal of Semiconductors/Journal of semiconductors（2016）

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摘要

比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益β的变化.在Vbe≤0.5V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的放大倍数辐照损伤因子d(β)为负;在Vbe≥0.5V时,SiGe HBT的d(β)远比Si BJT的小.SiGe HBT有更好的抗辐照性能.针对测得的一些电子陷阱对辐照致性能变化的影响进行了讨论.

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