闪存阵列的数据存储与无效块管理方法

Nan-jiang PU,Pi-zhuang ZHANG,Juan-juan ZHANG,Li-hui WU

Hedianzixue Yu Tance Jishu/Nuclear Electronics and Detection Technology（2011）

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摘要

针对单片闪速存储器NAND FLASH容量相对小、存储速度相对低且存在随机无效块等问题,提出一种由单片NAND FLASH构建大容量高速存储阵列并根据阵列的结构特点管理无效块的方法.深入分析阵列存储方式及位扩展、时分多路复用等关键技术,针对复杂的阵列组成提出四种无效块管理机制:全相关、全独立、行相关、列相关等.各相关模块独立建立无效块标识区,统一管理本相关模块的无效块,保证存储过程中CPU能快速定位到有效块地址值.最后通过实验验证了系统的存储容量和存储速度均达到预期目标.

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关键词

FLASH memory,Invalid block management,Valid block address

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