Stress effect analysis for PD-SOI pMOSFETs with undoped-Si0.88Ge0.12 heterostructure channel (Electron devices: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス（2007）
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pd-soi
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