基于循环退火技术的InGaAs/AlGaAs量子阱混杂

为了解决由于激光器腔面处的光吸收引起的腔面光学灾变损伤(COD),采用无杂质空位扩散(IFVD)法,研究了由SiO2电介质层诱导的InGaAs/AlGaAs量子阱结构的带隙蓝移.使用等离子化学气相沉积(PECVD)在InGaAs/AlGaAs量子阱的表面生长SiO2电介质层;然后采用IF-VD在N2环境下进行高温退火实验,从而实现量子阱混杂(QWI).实验结果表明:蓝移量的大小随退火时间和电介质层厚度的变化而变化,样品覆盖的电介质层越厚,在相同的退火温度下承受的退火时间越长,得到的蓝移量也越大.然而,在高温退火中的时间相对较长时,退火对量子阱造成的损坏相当大.高温短时循环退火,能够在保护量子阱晶体质量的同时实现QWI.通过在850℃退火6 min下循环退火5次,得到了46 nm的PL蓝移,且PL峰值保持在原样品的80％以上.