ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)剛三 牧山,俊裕 多木,雅仁 金村,和清 常信,健治 今西,直紀 原,俊英 吉川電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス(2009)引用 23|浏览2暂无评分AI 理解论文溯源树样例生成溯源树,研究论文发展脉络Chat Paper正在生成论文摘要