Basic electrophysical parameters of GaxIn1-xAs solid solution microwhiskers

Представлено результати дослідження електрофізичних параметрів (постійної Холла, питомого опору, рухливості) вирощених ниткоподібних мікрокристалів Ga x In 1-x As в діапазоні складів 0,3≤x≤0,8, характер зміни яких в зоні власної та змішаної провідності дозволили обчислити ширину забороненої зони. Аналіз радіаційної стійкості вирощених мікрокристалів проводили на основі зміни електрофізичних параметрів матеріалу, визначених до та після опромінення нейтронами.