Poster #T243 [11C]GMOM AS NEW POTENTIAL PET RADIOTRACER TO IMAGE THE NMDA RECEPTOR IN VIVO

The rate of anodic oxidation of InSb in KOH has been found to depend on the doping concentration of the semiconductor. The anodization process thus provides a means to delineate junctions in this material and, similarly, in InAs and InP. Anodization patterns have been correlated with the profiles of diffusion by which the junctions are fabricated. Zn- and Cd-diffused junctions in InSb have been studied in some detail; the latter are consistently flatter and have better electrical characteristics. The cause seems to lie in the semiconductor, involving a residual impurity reacting witht he diffusing Zn. Some experiments illustrating selective masking by an oxide layer against diffusions are also described, the masking action against Cd having been found to be more effective.On trouve que le taux d'oxydation anodique de SbIn dans le KOH de´pend de la concentration de dope du semiconducteur. Le proce´de´d'anodisation fournit ainsi un moyen de tracer les jonctions dans ce mate´riau et similairement dans l'AsIn et le PIn. Les mode`les d'anodisation onte´te´corre´le´s aux profils de diffusion par lesquels les jonctions sont fabrique´es. Les jonctions diffuse´es zu Zn et au Cd dans le SbIn onte´te´e´tudie´es en de´tail; ces dernie`res sont re´gulie`rement plus plates et ont de meilleures caracte´ristiquese´lectriques. La cause semble se trouver dans de semiconducteur, impliquant une impurete´re´siduelle re´agissant avec le Zn diffusant. Quelques expe´riences illustrant le masque se´lectif par une couche d'oxyde contre les diffusions sont aussi de´crites, l'action de masque contre le Cd ayante´te´trouve´e plus effective.Die Geschwindigkeit der anodischen Oxydation von InSb in KOH ha¨ngt von der Dotierungskonzentration des Halbleiters ab. Der Ablauf des Prozesses ist deshalb charakteristisch fu¨r die Struktur vonpn-U¨berga¨ngen. Die Methode ist ausser auf InSb ina¨hnlicher Weise auch auf InAs und InP anwendbar. Der Vorgang der anodischen Oxydation wurde mit den Diffusionsprofilen vonpn-U¨berga¨ngen in Zusammenhang gebracht. Zn- und Cd-dotierteU¨berga¨nge in InSb wurden untersucht. Letztere sind durchweg flacher und haben bessere elektrische Eigenschaften. Die Ursache hat man wohl in einer spurenweisen Verunreinigung des Halbleiters zu suchen, welche mit dem diffundierenden Zn reagiert. Einige Experimente zur selektiven Wirksamkeit von Oxydschichten als Diffusionmaskin werden ebenfalls beschrieben. Die maskierende Wirkung gegen Cd war sta¨rker.