可编程器件的瞬时电离辐射效应及加固技术研究

概述了国内外瞬时电离辐射效应的研究历程。针对空间电子学系统常用的两种类型可编程器件（32位微控制器和反熔丝FPGA），分别研制了辐照试验长线动态测试系统，在“强光一号”脉冲加速器上开展了γ瞬时电离辐照试验。试验数据表明：32位微控制器的瞬时电离辐射效应表现为复位重启和闭锁，闭锁阈值为6×107 Gy／Si．s，反熔丝FPGA的瞬时电离辐射效应表现为瞬时扰动和复位重启，二者的工作电流都随着剂量率的增加而升高。分析了两种可编程器件的瞬时电离辐射损伤机理，提出了一种“瞬时回避＋数据备份与恢复”的抗瞬时电离辐射的电路设计加固方法。