单层密集ZnO纳米棒阻变器件的导电机制

制备了一种具有多级存储效应的密集ZnO纳米棒阵列阻变存储器件，借助I-V曲线和荧光光谱分析了器件的电流传导机制和阻变机制，发现器件在不同的电阻态下分别属于欧姆传导和空间电荷限制电流( SCLC)传导机制。正向电场作用使纳米棒表面耗尽区的氧空位V++密度增大，完善了电子传输的导电细丝通道，器件实现了由高阻态向低阻态的转变；在反向电压作用下，导电通道断裂，器件恢复到高阻态。