SiC晶须的原位生长及其在C/C复合材料抗氧化涂层中的应用
Fenmo Yejin Cailiao Kexue yu Gongcheng/Materials Science and Engineering of Powder Metallurgy（2010）
摘要
以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)为先驱体原料,采用化学气相沉积法在C/C复合材料基体上原位生长碳化硅晶须(SiCw),制备CNT-SiCw抗氧化涂层,并在1100℃、空气中对该氧化涂层进行10h抗氧化实验,研究SiCw的制备工艺以及SiCw在C/C复合材料抗氧化涂层中的作用.结果表明:制备碳化硅晶须的最佳工艺为:温度1100℃、常压、载气和稀释气体流量均为100mL/min.在此工艺下,沉积时间为15min时,能制备出高长径比、平均直径约100nm的碳化硅晶须.有CNT-SiCw涂层C/C复合材料试样在空气中氧化后的质量损失率仅0.7%,没有涂层的试样的质量损失率约为15%.
更多查看译文
关键词
CNT-SiCw composite coating,CVD,Length-diameter ratio,SiC whiskers
AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树，研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要