FTALOSIYANIN İNCE FILMDE EMPEDANS SPEKTROSKOPI VE DIELEKTRIK DURULMA

Döndürerek kaplama yöntemiyle hazırlanan top tipi çinko (II) ftalosiyanin ince filmlerin dielektrik durulma davranışları 5 Hz. ile 13x106 Hz frekans aralığında sıcaklığa bağlı olarak (298 K – 468 K sıcaklık aralığında) empedans spektroskopi yöntemiyle incelenmiştir. Elde edilen verilerin modellenmesinde sistemin dielektrik davranışının paralel RC eşdeğer devre ile temsil edilebileceği görülmüştür. Filmlerde ac iletkenliğin frekansa bağlılığının ωm şeklinde olduğu ve frekansın üssü olan m parametresinin kuvvetle sıcaklığa bağlı olduğu gözlemlenmiştir. Deneysel olarak elde edilen ac iletkenlik verileri iki farklı model kullanılarak analiz edilmiştir. Frekansın üssü olan m parametresinin sıcaklığa bağlılığının incelenmesinde çinko (II) ftalosiyanin ince filmlerde ac yük iletiminin hoplama mekanizması sayesinde gerçekleştiği sonucuna varılmıştır.