Ar等离子体处理对GaAs纳米线发光特性的影响

Gao Mei,Li Haolin,Wang Dengkui,Wang Xinwei,Fang Xuan,Fang Dan,Tang Jilong,Wang Xiaohua,Wei Zhipeng

Chinese Journal of Lasers（2019）

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摘要

采用Ar等离子体处理GaAs纳米线, 通过光致发光测试研究了等离子体偏压功率对GaAs纳米线发光性能的影响.在不同测试温度和不同激发功率密度下, 研究了发光光谱各个发光峰的来源和机制.研究结果表明:随着功率增加, GaAs自由激子发光逐渐消失, 束缚激子发光强度先减小后增大;当功率增加到200 W时, 出现施主-受主对 (DAP) 发光.通过对比不同样品在283℃下的发光光谱, 得到了等离子体处理过程中GaAs纳米线的结构变化:当处理功率较小时, Ar等离子体在消除表面态的同时将空位缺陷引入GaAs中;当处理功率较大时, GaAs的晶体结构遭到破坏, 形成施主类型的缺陷, 出现DAP发光.

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关键词

spectroscopy, GaAs nanowircs, Ar plasma treatment, photoluminescence, defects, bias power

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