电场对graphene/InSe范德瓦耳斯异质结肖特基势垒的调控

半导体与金属接触是制作纳电子和光电子器件时非常重要的问题,接触类型对器件的功能实现和性能影响很大.为了制备高性能多功能化器件,就必须对界面处的势垒高度和接触类型进行调控.采用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了外电场作用下graphene/InSe范德瓦耳斯异质结的电子结构.计算结果表明异质结中的graphene和InSe保留了各自的本征电子性质,在界面处形成了欧姆接触.外电场可以有效调控graphene/InSe异质结中的肖特基势垒,不但可以调控肖特基势垒的高度,而且可以调控界面接触类型.外电场还可以有效调控graphene和InSe界面电荷转移的数量和方向.