高分辨紫外电子轰击互补金属氧化物半导体器件的实验研究

Liu Hu-Lin,Wang Xing,Tian Jin-Shou,Sai Xiao-Feng,Wei Yong-Lin,Wen Wen-Long,Wang Jun-Feng,Xu Xiang-Yan,Wang Chao,Lu Yu,He Kai,Chen Ping,Xin Li-Wei

ACTA PHYSICA SINICA（2018）

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摘要

基于真空紫外光电阴极和背照式互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器研制了紫外光响应的电子轰击CMOS(EBCMOS)器件,实现了EBCMOS器件在40 mlx光照度环境下的高分辨探测,电子图像灰度随电子能量的变化呈现出极好的线性关系.对器件成像分辨率测试的结果表明,在电场强度为5000 V/mm时,器件的空间分辨率可以达到25 lp/mm,与国际相关报道水平相当.研制的EBCMOS器件可直接在紫外弱光探测领域应用,如天文观察、高能物理、遥感测绘等,同时也可为下一步研制可见光和近红外敏感的EBCMOS器件提供参考.

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关键词

complementary metal oxide semiconductor,electron bombareded gain,low light level imaging,UV detection

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