GaSb衬底上分子束外延生长的低温GaSb薄膜的低缺陷表面

Hao Rui-Ting,Ren Yang,Liu Si-Jia, Guo Jie,Wang Guo-Wei,Xu Ying-Qiang,Niu Zhi-Chuan

JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES（2017）

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摘要

系统地研究了随着GaSb薄膜生长温度的降低,Sb/Ga (Ⅴ/Ⅲ)比的变化对薄膜低缺陷表面质量的影响.为了获得良好表面形貌的GaSb外延层,生长温度与Ⅴ/Ⅲ比均需要同时降低.当Sb源裂解温度为900℃时,生长得到低缺陷表面的低温GaSb薄膜的最佳生长条件是生长温度为在再构温度的基础上加60℃且Ⅴ/Ⅲ比为7.1.

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关键词

low-defect,GaSb,AFM,V/III

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