大片单层低缺陷MXene的制备及其膜材料的电磁屏蔽性能

Tong Lü,Enshuang Zhang,Yin Yuan, Zhimin Fan,Xiangyu Ma,Zhongjun Cheng,Yuyan Liu,Yuanxun Gong,Hongjie Zhao

CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES-CHINESE（2019）

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摘要

采用原位生成氢氟酸法刻蚀Ti3 AlC2制备了单片层二维过渡金属碳化物(MXene),用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)及原子力显微镜(AFM)等表征了MXene的微观形貌.结果表明,所制备的MXene材料具有大片、单层及低缺陷等特点.通过抽滤MXene分散液制备的MXene膜材料具有导电性高(3280 S/cm)及韧性优异等特点.MXene膜的屏蔽性能测试结果表明,8μm厚的MXene膜屏蔽效能为60.6 dB,SSE/t值则高达19531.1 dB·cm2·g-1.推测MXene膜的屏蔽机理是一种以吸收为主的电磁干扰屏蔽机制.

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关键词

Shielding material,MXene,Large size,High performance

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