光学浮区法生长掺铟氧化镓单晶及其性能

采用光学浮区法生长了尺寸φ(7~9 mm)×(30~35 mm)的β-Ga2O3:In单晶.X射线衍射物相分析表明,β-Ga2O3:In单晶仍属于单斜晶系.研究了不同In掺杂量的 β-Ga2O3:In单晶的吸收光谱和电学性能.结果表明:与纯 β-Ga2O3单晶相比,β-Ga2O3:In单晶在红外波段存在明显吸收.β-Ga2O3:In单晶的电导率在10-2量级,Holl载流子浓度可以达到6×1019/cm2,说明掺杂In3+对β-Ga2O3单晶的电学性能有明显改善.