77K下工作的双层多晶硅发射区RCA器件和电路
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS（2001）
摘要
研究了掺磷双层多晶硅RCA器件和电路的制备工艺及其温度特性.在工艺中采用自对准双极结构,生长一层RCA超薄氧化层,并用快速热退火处理RCA氧化层.研制的多晶硅发射区RCA晶体管不仅具有较低的电流增益-温度依赖关系,而且还具有较快的工作速度.首次制备出多晶硅发射区RCA ECL静态二分频器在室温下其工作频率为1.1-1.2GHz,在液氮温度下能够正常工作,工作频率可达730MHz.
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