一种改进的AlGaN/GaN HEMT全局直流模型
Microelectronics（2017）
摘要
对Angelov直流FET模型进行改进,并应用同一遗传算法对改进前后的模型进行全局直流模型参数提取,平均相对误差分别为4.58％和1.8％.将模型计算值与实验数据进行对比,结果表明,改进后的模型能更加准确地描述AlGaN/GaN HEMT源漏电流随栅、漏电压变化的全局直流输出特性,从而为AlGaN/GaN HEMT提供一种准确的全局直流模型和精确的参数提取方法.
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