复合介质L型侧墙形成技术

RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS（2001）

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摘要

给出了E-B之间复合介质L型侧墙的形成技术。这种工艺技术控制容易，成品率高，均匀性好。已将这种工艺技术应用于双层多晶硅双极晶体管的制作工艺中，器件具有良好的电学特性

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