全集成绝缘体硅CMOS单刀十六掷天线开关设计

Jie CUI,Lei CHEN,Peng ZHAO,Chunlei KANG,Jia SHI,Xu NIU,Yi LIU

Research & Progress of Solid State Electronics（2014）

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摘要

利用高衬底电阻率的180 nm绝缘体硅(SOI)CMOS工艺设计了一种全集成的可用于手机和无线手持设备的多模多频单刀十六掷(SP16T)天线开关.由于衬底电阻率高达1 kΩ·cm,且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧,实测结果显示,十六路开关分支的插损0～3 GHz频段内均小于2 dB,隔离度平均大于35 dB,回波损耗小于-20 dB,功率处理能力超过36 dBm,完全满足设计要求.

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