一种带有注入增强缓冲层的4H-SiC GTO晶闸管

门极可关断(GTO)晶闸管是应用在脉冲功率领域中的一种重要的功率器件.目前,由于常规SiC GTO晶闸管的阴极注入效率较低,限制了器件性能的提高.提出了一种带有注入增强缓冲层的碳化硅门极可关断(IEB-GTO)晶闸管结构,相比于常规GTO晶闸管结构,该结构有着更高的阴极注入效率,从而减小了器件的导通电阻和功耗.仿真结果表明,当导通电流为1 000 A/cm2时,IEB-GTO晶闸管的比导通电阻比常规GTO晶闸管下降了约45.5％;在脉冲峰值电流为6 000 A、半周期为1 ms的宽脉冲放电过程中,器件的最大导通压降比常规GTO晶闸管降低了约58.5％.