RF CMOS工艺片上MOM电容的宽频带建模与验证
Micronanoelectronic Technology（2019）
摘要
提出了一种新的基于RF CMOS技术的金属-氧化物-金属(MOM)电容宽频带建模方法.为了提高模型精度、扩展有效频带,模型在构造时加入了测试焊盘和输入/输出互连线的等效电路.测试结构是基于自身物理结构进行架构的,充分考虑了其在高频时引入的各种寄生效应.互连线模型考虑了高频时的趋肤效应.通过解析提取的方法,在低频时提取测试结构引入的容性和阻性寄生参数.采用物理公式计算互连线的等效电感和电阻以及高频下互连线产生的趋肤效应参数初值.对于模型拓扑结构和参数提取方法,采用40 nm RF CMOS工艺上设计所得连带测试结构MOM电容数据进行验证.在0.25～110 GHz的频率范围内,可得测试和仿真的S参数精确吻合.
更多AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树，研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要