中波碲镉汞/钝化层界面电学特性研究

HgCdTe 表面/界面特性对器件性能具有重要的影响，表面/界面的状态主要依赖于表面处理和钝化工艺。采用 Br2/CH3OH 腐蚀液对液相外延（LPE）生长的中波 HgCdTe 薄膜进行表面处理后，使用CdTe/ZnS 复合钝化技术进行表面钝化，制备了相应的 MIS 器件并进行器件 C-V 测试。结果表明，HgCdTe/钝化层界面固定电荷极性为正，面密度为2.1×1011 cm－2，最低快界面态密度为1.43×1011 cm－2·eV－1，在10 V 栅压极值下慢界面态密度为4.75×1011 cm－2，较低的快界面态密度体现出了 CdTe/ZnS 复合钝化技术的优越性。