FET/pHEMT器件寄生电阻的精确测量
Measurement Technique（2016）
摘要
介绍了一种精确、高效的FET/pHEMT器件模型的寄生电阻及零偏置沟道电阻的测量方法.该方法仅凭器件漏端零偏置的简化模型的直流特性,就能测出寄生电阻和沟道电阻.因此能够对器件沟道质量作出初步评估,为器件的整个模型参数的提取走出关键的一步.该方法提取过程具有清晰的物理意义,通过对器件的测试结果显示,该方法效率高,评估结果与厂家一致.
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