沉积温度对热蒸发法制备SiO2一维纳米材料的影响

Hang LYU,Qiu-ying LIU,Xi-bao YANG,Jing-long ZHAO,Qiu-shi WANG,Xiao-dong LU,Zhen YAO, Jun-chao LYU

Journal of Synthetic Crystals（2017）

引用 0|浏览2

暂无评分

摘要

利用热蒸发法在N型硅片表面成功制备出大面积SiO2纳米线和SiO2纳米棒结构.采用X射线粉末衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),X射线能量色散谱(EDX),拉曼光谱(RS)和光致发光(PL)对合成的产物进行了表征.结果表明,用此方法生长的SiO2纳米材料,其结构和形貌与生长参数关系密切,随着沉积温度降低纳米线长度变短,最后呈现出棒状结构.此外,还研究了SiO2纳米结构独特的光学性质.该研究对改善光电子半导体器件的性能应用具有重要意义.

查看译文

关键词

thermal evaporation,SiO2 nanowire,SiO2 nanorod,optical property

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要