二维反谐振子在恒定垂直外磁场下的逗留时间
Journal of Ningbo University(Natural Science & Engineering Edition)（2020）
摘要
粒子逗留时间的计算是量子力学基本问题之一.本文对处于垂直外磁场下的二维反谐振势模型运用费曼路径积分方法,得到了初始时刻位于原点的高斯波包随时间的演化方程,然后计算了带电粒子的逗留时间.根据计算结果讨论了初始高斯波包在不同宽度情况下,磁场对逗留时间的影响.结果显示,逗留时间刚开始随着磁场强度的增加单调增加,但当磁场强度足够大,使得拉莫尔频率ωc超过谐振子频率ω0时,逗留时间将变成无穷大,这与三维情况下的逗留时间仍然持续增加的结果有很大不同.
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