用于宽谱带发射白色发光二极管的黄色荧光粉Sr8MgAl(PO4)7:xEu2+的制备及发光性能

通过高温固相反应合成了一系列宽谱带发射黄色荧光粉Sr8MgAl(PO4)7:xEu2+(SMAP:xEu2+),并对其物质结构、发光性能及其在白色发光二极管(WLED)领域的应用进行了探究.X射线衍射(XRD)测试结果表明,SMAP:xEu2+系列荧光粉具有单斜结构和C2/m空间群,激活剂Eu2+离子能够很好地进入SMAP基质中并占据Sr2+离子的晶格位点.漫反射光谱分析显示SMAP基质属于宽带隙材料,带隙宽度为3.60 eV.此外,SMAP:xEu2+具有较宽的激发范围(280～500 nm),对应于Eu2+离子的4f 7→4f 65d1跃迁;在380 nm近紫外光激发下,呈现出450～800 nm的多发光中心的非对称黄光发射,发射峰位于590 nm处.基于高斯多峰拟合结果,得到3个发光中心,分别位于528、600和680 nm.最后,将已制备的黄色荧光粉SMAP:0.05Eu2+与商业化蓝粉BaMgAl10O17:Eu2+混合涂覆到400 nm芯片上制得色温较好(3344 K)、显色指数较高(90.1)的WLED.