磁场中HD分子振转跃迁的超精细结构

HD分子红外跃迁的精密测量被用以检验量子电动力学、确定质子-电子质量比等.但HD分子的超精细结构分裂对于测量精度是一个很重要的限制因素,并可能是实验中测得υ=2—0谱带跃迁呈特殊线型的原因之一.本文分别在耦合表象和非耦合表象下计算了HD分子振转跃迁的超精细结构,并计算了不同外加磁场下HD分子(2-0)带中R(0),P(1),R(1)线的超精细结构,模拟了10 K低温下对应的光谱结构.结果表明,HD分子跃迁结构可随磁场发生明显变化.这可能有助于分析HD分子跃迁特异线型产生的机制,进一步获得其准确的跃迁中心频率,用于基础物理学检验.