基于忆阻器的感存算一体技术综述

Zhang Zhang,Li Chao,Han Tingting,Xu Ao, Cheng Xin,Liu Gang,Xie Guangjun

JOURNAL OF ELECTRONICS & INFORMATION TECHNOLOGY（2021）

引用 2|浏览5

暂无评分

摘要

忆阻器的低功耗、高响应、纳米级、非易失性等特性,在实现非冯·诺依曼计算架构中展现出巨大潜力.基于忆阻器的高密度横梁阵列可实现数据存储及并行计算一体的逻辑电路和类脑计算电路.此外,纳米传感器与忆阻器进一步集成,采集的信号直接送往忆阻器阵列进行运算和存储,感知、存储与计算一体化的芯片技术成为新的研究热点.该文对基于忆阻器的存算一体技术、感存算一体技术的研究现状进行综述,并给出研究前景展望.

查看译文

关键词

Memristor, Integration of sensing, storage and computing, Non-von Neumann

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要