高温热退火对多层P-on-N结构HgCdTe的界面影响

Shen Chuan,Chen Lu,Bu Shun-Dong,Liu Yang-Rong, He Li

JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES（2021）

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摘要

对高温热退火前后分子束外延(MBE)生长的多层P-on-N结构HgCdTe外延材料的界面变化进行研究.研究发现,高温热退火将引起HgCdTe外延材料界面层的改变,从而破坏原生结构.这种改变可以一定程度上通过工艺条件进行控制.同时,对热退火前后P-on-N结构变化进行了二维数值模拟,研究了不同变化对其能带结构和光电流的影响.

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关键词

HgCdTe, P-on-N, interface, thermal annealing, light current

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